架空故障指示器卡线装置

    公开(公告)号:CN206906418U

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201720872747.5

    申请日:2017-07-18

    Abstract: 本实用新型公开了一种架空故障指示器卡线装置,用以卡扣电缆线,其包含:内壳、外壳、至少一个弹簧机构、上卡扣槽及下卡扣槽。外壳能够纵向移动的设置于内壳的外部;至少一个弹簧机构能够纵向移动的设置于内壳的外部与外壳的内部之间,且至少一个弹簧机构的底部与外壳的底部固定连接;上卡扣槽固定于内壳上;以及下卡扣槽固定于外壳上,且下卡扣槽与上卡扣槽紧贴相对;其中,外壳向下移动时,带动至少一个弹簧机构向下移动,从而使下卡扣槽远离上卡扣槽向下移动,电缆线放置于上卡扣槽与下卡扣槽之间。借此,本实用新型的架空故障指示器卡线装置,卡扣槽受力均匀,接触面大,适用于不同直径电缆线,且电缆线卡扣防水性能好。

    一种直推式开启互感器锁紧装置

    公开(公告)号:CN104091681B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201410285160.5

    申请日:2014-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种直推式开启互感器锁紧装置,所述互感器包括两组铁芯,每组铁芯包括二块呈L形状的铁芯,分别为固定L型铁芯和活动L型铁芯,固定L型铁芯与活动L型铁芯的切割接触面为斜面,锁紧装置包括安装有固定L型铁芯的固定座和安装有活动L型铁芯的活动座。采用直推式的闭合和开启互感器,互感器闭合精度控制性强,操作简单,稳定性强。

    一种电网线路故障指示器控制电路

    公开(公告)号:CN104635086A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201510062611.3

    申请日:2015-02-06

    Inventor: 钱金华

    Abstract: 本发明公开了一种电网线路故障指示器控制电路,包括取电电路和测量电路;所述的取电电路包括取电互感器CT1、整流电路U3、MOS管Q2、DC/DC稳压模块;所述的测量电路包括测量互感器CT2、CPU-AD转换模块、采样前置放大电路U17、稳压二极管ZD2、稳压二极管ZD3和电流采样电阻R25。本发明用于电网线路故障指示器,可以防止因该控制电路因发热降低故障指示器使用的可靠性,有效阻止烧坏导致故障指示器无法使用的后果。

    一种直推式开启互感器锁紧装置

    公开(公告)号:CN104091681A

    公开(公告)日:2014-10-08

    申请号:CN201410285160.5

    申请日:2014-06-24

    Abstract: 本发明公开了一种直推式开启互感器锁紧装置,所述互感器包括两组铁芯,每组铁芯包括二块呈L形状的铁芯,二块呈L形状的铁芯分别被切割成两部分,分别为固定L型铁芯和活动L型铁芯,固定L型铁芯与活动L型铁芯的切割接触面为斜面,锁紧装置包括安装有固定L型铁芯的固定座和安装有活动L型铁芯的活动座。采用直推式的闭合和开启互感器,互感器闭合精度控制性强,操作简单,稳定性强。

    基于等效电荷的架空线路故障指示器用电压传感器

    公开(公告)号:CN104635031A

    公开(公告)日:2015-05-20

    申请号:CN201510062598.1

    申请日:2015-02-06

    Inventor: 钱金华

    Abstract: 本发明公开了一种基于等效电荷的架空线路故障指示器用电压传感器,包括外壳,其特征在于在所述的外壳内设有至少一块印刷电路板、信号调理器和CPU,所述的印刷电路板为双面印刷电路板,在双面印刷电路板顶层和底层上分别设有多圈同心环形电极,顶层和底层的环形电极各自并联。本发明在故障指示器中加装了电压传感器,所以既能有效判断接地故障,又能省掉配电变压器上要加装的信号发生器。采用开合卡扣式结构,既方便现场带电安装,又能安装稳固,不受风力影响,使得测量稳定、延长使用寿命。此外,本发明工艺简单,一致性好,体积小,成本低,便于加工,适合批量生产。

    一种特高压VDMOS场效应管的制造方法

    公开(公告)号:CN110047756A

    公开(公告)日:2019-07-23

    申请号:CN201910324298.4

    申请日:2019-04-22

    Abstract: 本发明公开了一种特高压VDMOS场效应管的制造方法,生产N型VDMOS的生产步骤如下:1、采用N-衬底片;2、在N-衬底片的正面上按常规制造工艺制作N型VDMOS的正面结构,包括场氧、栅氧层、多晶硅区、P-Body、N+源极、P+接触区、层间介质以及正面金属;3、进入减薄工序,对N-衬底片背面进行减薄,将N-衬底片减薄到所需厚度;4、在N-衬底片背面注入N型杂质,提高N-衬底片背面的杂质浓度,在N-衬底片表面形成薄的N+层;5、进入背面金属化工序,在N+层背面淀积金属,形成VDMOS的漏极。其采用N+衬底片并在衬底片上直接制造器件的正面结构,通过背面减薄和背面注入来形成VDMOS的漏极,省掉了外延生长,避免过厚外延生长所带来外延缺陷的增加而导致VDMOS产品的可靠性降低。

    设有天线防护罩的汇集单元

    公开(公告)号:CN207530105U

    公开(公告)日:2018-06-22

    申请号:CN201721667164.5

    申请日:2017-12-05

    Inventor: 钱金华

    Abstract: 本实用新型公开了一种设有天线防护罩的汇集单元,包括汇集单元箱体,所述汇集单元箱体顶部设有无线天线出线孔,所述汇集单元箱体顶部上方设有无线天线防护罩,所述无线天线出线孔位于无线天线防护罩内。本实用新型所述的设有天线防护罩的汇集单元在汇集单元箱体顶部上方设有无线天线防护罩,无线天线被安装在了汇集单元箱体顶部、无线天线防护罩内部,这样可以防止天线被雨水淋湿,确保通信的正常,无线天线出线孔也在无线天线防护罩内,可以防止雨水从无线天线出线孔进入汇集单元,起到了防水作用。

Patent Agency Ranking