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公开(公告)号：CN119582610A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411437584.9
申请日：2024-10-15
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 长安大学
Abstract: 本发明涉及电子电路技术领域，公开一种移相电路、降压型开关变换器组以及变换器芯片。移相电路包括：延时移相模块，包括多个延时移相单元；译码器，输入端与不同的输入电压信号相连，及多个输出端分别与多个延时移相单元的控制端相连；比较器，正、负输入端分别与延时移相模块的输出端、参考电压相连；触发器，R端与时钟信号相连，输出端与延时移相模块的输入端相连，及S端与比较器的输出端相连，译码器用于响应于特定的输入电压信号控制相应延时移相单元导通，以通过比较器输出移相后的时钟信号。本发明可有效地对时钟进行相位移动，以多相位进行多相操作，能提供工程应用所需要的足够的负载电流，且电感电流纹波得以抵消，输出电压纹波更小。
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公开(公告)号：CN115048899B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210960748.0
申请日：2022-08-11
Applicant: 北京智芯半导体科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/392 , H03M1/12
Abstract: 本申请提供一种模数转换器的电路结构、模数转换器及芯片。模数转换器的电路结构包括：第一版图区，包括多个电容模块及电容信号线，电容信号线用于连接多个电容模块；环绕第一版图区的第二版图区，包括多个传输模块、多个数字模块及连接多个数字模块的数字信号线，电容模块通过传输模块与数字模块连接；其中：外部的模拟信号经传输模块进入数字模块后转换为数字信号，数字信号经传输模块进入电容模块处理后输出。本申请的模数转换器的电路结构、模数转换器及芯片通过第二版图区环绕第一版图区，以使第二版图区形成抗干扰屏障，保护位于第一版图去的电容模块处理的信号不受干扰，使模数转换器输出的测量读数具有较高的精度。
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公开(公告)号：CN110632970A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911024548.9
申请日：2019-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网浙江省电力有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种快瞬态响应LDO及其电路，该电路包含一个快通路和一个慢通路，快通路由负载晶体管、第七晶体管以及第六晶体管组成。慢通路由负载晶体管、第一晶体管、第五晶体管以及第七晶体管组成。快通路用来增大环路带宽，慢通路用来增加DC精度。电路中的第二电容和第三电容能够感知负载变化，通过电容耦合的方式相应的增大或减小流过第十四晶体管和第三晶体管的电流，通过增加对负载晶体管栅极电容充放电速度从而加快环路响应速度，减小输出电压的过冲值。
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公开(公告)号：CN112491405B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202011166014.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03K17/04
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于芯片的基于基准源的加速启动电路，包括：启动电路、偏置电流产生电路、基准电压产生电路，还包括加速启动电路；所述加速启动电路设于偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间，用于将偏置电流产生电路的上电过程与基准电压产生电路的上电过程相隔离，在偏置电流产生电路上电完成后开启基准电压产生电路的上电过程，以阻断在上电过程中偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间的相互干扰。本发明一方面减小电路中参与充电的节点数，避免芯片中整体电路参与启动过程而拖慢启动时间；另一方面阻断上电过程中的过冲对基准电压产生电路的影响，极大的加速了芯片中整体电路的启动速度。
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公开(公告)号：CN112491405A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011166014.2
申请日：2020-10-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03K17/04
Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于芯片的基于基准源的加速启动电路，包括：启动电路、偏置电流产生电路、基准电压产生电路，还包括加速启动电路；所述加速启动电路设于偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间，用于将偏置电流产生电路的上电过程与基准电压产生电路的上电过程相隔离，在偏置电流产生电路上电完成后开启基准电压产生电路的上电过程，以阻断在上电过程中偏置电流产生电路与基准电压产生电路之间的相互干扰。本发明一方面减小电路中参与充电的节点数，避免芯片中整体电路参与启动过程而拖慢启动时间；另一方面阻断上电过程中的过冲对基准电压产生电路的影响，极大的加速了芯片中整体电路的启动速度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112422122A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202011219344.3
申请日：2020-11-04
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种反馈调节型振荡器，属于集成电路技术领域。所述振荡器包括：电流源电路，用于输出三路偏置电流；充放电电路，用于根据所述第一路偏置电流进行充放电，并将对应产生的频率信号转变为电压信号并输出；运放电路，用于响应于所述第二路偏置电流开始工作，以将所述电压信号进行放大并输出；电流控制振荡器，用于根据所述第三路偏置电流，将放大后的电压信号转变成电流信号，再将该电流信号转变为频率形式的时钟信号并输出；以及数字逻辑电路，用于将所述时钟信号转变成时钟控制信号并输出以及将所述时钟控制信号反馈给所述充放电电路及电流源电路。本发明可以满足低压、低功耗、高精度特性中的任意一者或多者的要求。
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公开(公告)号：CN107462827B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710769874.7
申请日：2017-08-31
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网公司
IPC: G01R31/317 , G01R19/165
Abstract: 本发明公开了一种带有内部稳压器的电源毛刺检测电路，包括：稳压模块，该稳压模块包括稳压器，稳压模块用于产生稳定的与芯片高压电源VDDH无关的电压输出VR_OUT；毛刺检测模块，其被构造为检测电源glitch并输出报警信号，电压输出VR_OUT作为毛刺检测模块的电源；电平转换输入模块，用于将来自Core电源域的数字信号转换为VR_OUT电源域的数字信号；以及电平转换输出模块，用于将来自VR_OUT电源域的数字信号转换为Core电源域的数字信号。本发明的电源毛刺检测电路的电源具有较高的独立性、抗干扰性，能够提升PGD电路工作时的稳定性和可靠性，对glitch攻击的响应速度快，且判断glitch触发点精准性高。
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公开(公告)号：CN118367897A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410528783.4
申请日：2024-04-29
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
Abstract: 本公开涉及集成电路技术领域，具体涉及一种时钟信号产生电路方法、DC‑DC控制器、芯片及装置，所述电路包括：电流偏置模块，用于生成偏置电流，并向电容充放电模块提供偏置电流；电容充放电模块，用于在所述偏置电流下产生锯齿波；施密特触发器模块，用于检测电容充放电模块中目标电容的上极板的电压，并在上极板的电压大于或等于额定电压阈值时进行输出翻转，以得到翻转信号；整形分频模块，用于在输入翻转信号的情况下，对翻转信号进行整形并分频，以得到目标占空比的方波信号，并输出所述方波信号，方波信号为时钟信号。该电路可以使用施密特触发器模块进行电压翻转，从而极大程度地降低了电路的匹配要求，并降低了电路的功耗和面积开销。
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公开(公告)号：CN112422122B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011219344.3
申请日：2020-11-04
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网浙江省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: H03L7/099
Abstract: 本发明提供一种反馈调节型振荡器，属于集成电路技术领域。所述振荡器包括：电流源电路，用于输出三路偏置电流；充放电电路，用于根据所述第一路偏置电流进行充放电，并将对应产生的频率信号转变为电压信号并输出；运放电路，用于响应于所述第二路偏置电流开始工作，以将所述电压信号进行放大并输出；电流控制振荡器，用于根据所述第三路偏置电流，将放大后的电压信号转变成电流信号，再将该电流信号转变为频率形式的时钟信号并输出；以及数字逻辑电路，用于将所述时钟信号转变成时钟控制信号并输出以及将所述时钟控制信号反馈给所述充放电电路及电流源电路。本发明可以满足低压、低功耗、高精度特性中的任意一者或多者的要求。
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公开(公告)号：CN110632970B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201911024548.9
申请日：2019-10-25
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网浙江省电力有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明公开了一种快瞬态响应LDO及其电路，该电路包含一个快通路和一个慢通路，快通路由负载晶体管、第七晶体管以及第六晶体管组成。慢通路由负载晶体管、第一晶体管、第五晶体管以及第七晶体管组成。快通路用来增大环路带宽，慢通路用来增加DC精度。电路中的第二电容和第三电容能够感知负载变化，通过电容耦合的方式相应的增大或减小流过第十四晶体管和第三晶体管的电流，通过增加对负载晶体管栅极电容充放电速度从而加快环路响应速度，减小输出电压的过冲值。
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