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公开(公告)号：CN105589767A
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
CPC classification number: G06F11/1448 , G06F12/16
Abstract: 一种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法，包括以下步骤：一、将NAND FLASH内的所有块通过一级表、二级表和三级表进行映射管理；二、系统上电，加载一级表、二级表和三级表，恢复系统工作状态；三、依据表中数据，判断在数据更新过程中是否发生异常掉电；四、当NAND Flash存储的信息发生改变时，对一级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新一级表、新二级表或新三级表被成功写入后，再擦除原一级表、原二级表或原三级表，且这些表在可查的地址范围内，因此系统在掉电重新上电后，系统完整保留了各表中的数据，能够根据各表中的数据，对系统状态进行恢复。
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公开(公告)号：CN107832234B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201710666604.3
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种用于NAND FLASH的日志块快速命中方法，首先在系统内存中创建LOPB，在向LOG块写数据的同时不断向LOPB中添加LPA，在读数据过程中，根据目标扇区的LBA地址LADDR，计算其页偏移地址，查找相应的LOPB的LPA，从某结点开始遍历，能够快速准确找到存放与目标LADDR相同页偏移地址的日志块中页地址，进一步根据找到的页冗余区的地址信息计算该页中是否命中目标LADDR。本发明方法降低系统内存的消耗同时能够快速命中日志块，提高系统响应速度，减少查找日志块的资源开销和时间消耗，提升了闪存处理器的性能，对系统内存资源较为宝贵的片上系统具有实际意义。
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公开(公告)号：CN105589767B
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201510965336.6
申请日：2015-12-21
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 种用于NAND FLASH的系统掉电保护实现方法,包括以下步骤:、将NAND FLASH内的所有块通过级表、二级表和三级表进行映射管理;二、系统上电,加载级表、二级表和三级表,恢复系统工作状态;三、依据表中数据,判断在数据更新过程中是否发生异常掉电;四、当NAND Flash存储的信息发生改变时,对级表、二级表和三级表进行更新。本发明在新级表、新二级表或新三级表被成功写入后,再擦除原级表、原二级表或原三级表,且这些表在可查的地址范围内,因此系统在掉电重新上电后,系统完整保留了各表中的数据,能够根据各表中的数据,对系统状态进行恢复。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107832234A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710666604.3
申请日：2017-08-07
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
IPC: G06F12/02
Abstract: 一种用于NAND FLASH的日志块快速命中方法，首先在系统内存中创建LOPB，在向LOG块写数据的同时不断向LOPB中添加LPA，在读数据过程中，根据目标扇区的LBA地址LADDR，计算其页偏移地址，查找相应的LOPB的LPA，从某结点开始遍历，能够快速准确找到存放与目标LADDR相同页偏移地址的日志块中页地址，进一步根据找到的页冗余区的地址信息计算该页中是否命中目标LADDR。本发明方法降低系统内存的消耗同时能够快速命中日志块，提高系统响应速度，减少查找日志块的资源开销和时间消耗，提升了闪存处理器的性能，对系统内存资源较为宝贵的片上系统具有实际意义。
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公开(公告)号：CN102541474A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110459238.7
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种USB读卡控制器，包括：数据缓冲区管理模块、实现设备的端点层的USB设备接口模块、对存储卡操作流程进行控制的存储卡接口模块、对数据进行读写控制的数据读写控制模块。采用本发明减小了USB读卡控制器的电路规模，并且提高了数据的传输速率。
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公开(公告)号：CN102542110A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110459205.2
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法。包括：建立存储器模块的步骤；建立兼容性产生机制的步骤；建立检测点的步骤和产生激励数据进行检测的步骤。采用本发明实现对移动存储SOC芯片的功能验证。
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公开(公告)号：CN102541474B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201110459238.7
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: G06F3/06
Abstract: 本发明公开了一种USB读卡控制器，包括：数据缓冲区管理模块、实现设备的端点层的USB设备接口模块、对存储卡操作流程进行控制的存储卡接口模块、对数据进行读写控制的数据读写控制模块。采用本发明减小了USB读卡控制器的电路规模，并且提高了数据的传输速率。
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公开(公告)号：CN102542110B
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201110459205.2
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 中国航天科技集团公司第九研究院第七七二研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种应用于移动存储SOC芯片的仿真验证方法。包括：建立存储器模块的步骤；建立兼容性产生机制的步骤；建立检测点的步骤和产生激励数据进行检测的步骤。采用本发明实现对移动存储SOC芯片的功能验证。
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