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公开(公告)号:CN118630028A
公开(公告)日:2024-09-10
申请号:CN202410531021.X
申请日:2024-04-29
Applicant: 北京微电子技术研究所 , 北京时代民芯科技有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开了一种用于大尺寸传感器芯片高平面度粘片结构的制作方法,包括:在芯片粘接区均匀涂抹助焊剂,将定位球放置在芯片粘接区;将限位片按照设计规定位置进行贴装,将定位球与芯片粘接区进行焊接;将焊接后得到的器件进行清洗和烘干,将助焊剂清洗干净,随后剥离限位片;在设计规定位置放置芯片,将芯片四角分别与芯片粘接区粘接,并在施加一定压力P的状态下进行快速固化;沿着芯片任一方向的边缘位置使用胶头进行填胶,直至芯片底部充满胶液;在芯片上方施加一定质量的压块,然后按照所填胶液的工艺说明书进行固化。本发明所述方法能够有效控制大尺寸芯片的粘片平面度,粘片平面度≤20μm,远优于未使用本方法的同类器件。
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公开(公告)号:CN119653887A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202411724165.3
申请日:2024-11-28
Applicant: 北京时代民芯科技有限公司 , 北京微电子技术研究所
Abstract: 本发明属于属于传感器封装工艺领域,具体涉及了一种用于图像传感器的多芯片共面拼接结构的制作方法,旨在解决多芯片共面拼接结构平整度较差的问题。本发明采用高刚度的转接板作为基面,将粘片区域优化成均一的平面,且利用转接板自带的定位球进行共面性定位。本发明通过使用一次芯片贴装的方式,保证拾取、贴装、加压的过程中,始终保证所有芯片受力均匀,可有效提升多芯片共面拼接的共面性,减少误差。
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