公开(公告)号：CN113541116B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202110887651.7

申请日：2021-08-03

Applicant: 北京控制工程研究所

Inventor： 杜建华 ,  周世安 ,  刘忠汉 ,  苏少侃 ,  刘飞 ,  王彬磊 ,  赵兰 ,  于洋 ,  王惠 ,  张兴国 ,  卢焕然

IPC: H02H9/04 ,  B64G1/40

Abstract: 本发明公开了一种基于功率MOS的电压钳位电路和系统，该电压钳位电路包括：隔离二极管D5、MOS管Q3和控制电路；隔离二极管D5和MOS管Q3串联；控制电路与串联后的隔离二极管D5和MOS管Q3，并联接入网络A和网络B；其中，控制电路的高端接网络A，控制电路的低端接网络B；隔离二极管D5的阳极接网络A，MOS管Q3的S极接网络B。本发明解决了瞬态二极管无法承受霍尔电推进点火过程中的能量冲击而烧毁的问题。

公开(公告)号：CN113541116A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110887651.7

申请日：2021-08-03

Applicant: 北京控制工程研究所

Inventor： 杜建华 ,  周世安 ,  刘忠汉 ,  苏少侃 ,  刘飞 ,  王彬磊 ,  赵兰 ,  于洋 ,  王惠 ,  张兴国 ,  卢焕然

IPC: H02H9/04 ,  B64G1/40

Abstract: 本发明公开了一种基于功率MOS的电压钳位电路和系统，该电压钳位电路包括：隔离二极管D5、MOS管Q3和控制电路；隔离二极管D5和MOS管Q3串联；控制电路与串联后的隔离二极管D5和MOS管Q3，并联接入网络A和网络B；其中，控制电路的高端接网络A，控制电路的低端接网络B；隔离二极管D5的阳极接网络A，MOS管Q3的S极接网络B。本发明解决了瞬态二极管无法承受霍尔电推进点火过程中的能量冲击而烧毁的问题。