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公开(公告)号：CN111604076B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010317966.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 北京建筑大学
IPC: B01J27/24 , B01J37/34 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供一种新型微波法制备F掺杂的g‑C3N4光催化材料及其应用。采用热聚合法制备本体g‑C3N4材料，使用微波消解仪在介质中对本体g‑C3N4进行微波刻蚀，使其表面形成氮空位。本发明的F掺杂g‑C3N4材料将F原子引入氮空位，与C原子形成C‑F键，导致电子分布不均从而形成表面极化场，降低其表面的空穴电子复合率，增强光催化剂活性。本发明的材料对双氯芬酸钠、苯酚和双酚A的降解率分别为100%、55％和65％，均优于本体g‑C3N4。本发明工艺简单，适合于工业化大批量生产，并且将光催化降解技术应用于降解PPCPs领域具有很高的应用前景和实用价值。
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公开(公告)号：CN111604076A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010317966.3
申请日：2020-04-21
Applicant: 北京建筑大学
IPC: B01J27/24 , B01J37/34 , C02F1/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供一种新型微波法制备F掺杂的g-C3N4光催化材料及其应用。采用热聚合法制备本体g-C3N4材料，使用微波消解仪在介质中对本体g-C3N4进行微波刻蚀，使其表面形成氮空位。本发明的F掺杂g-C3N4材料将F原子引入氮空位，与C原子形成C-F键，导致电子分布不均从而形成表面极化场，降低其表面的空穴电子复合率，增强光催化剂活性。本发明的材料对双氯芬酸钠、苯酚和双酚A的降解率分别为100%、55％和65％，均优于本体g-C3N4。本发明工艺简单，适合于工业化大批量生产，并且将光催化降解技术应用于降解PPCPs领域具有很高的应用前景和实用价值。
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公开(公告)号：CN111545232A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010260699.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 北京建筑大学
IPC: B01J27/24 , B01J37/34 , C02F1/30 , C01B21/083 , B82Y40/00 , C02F101/36 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供一种新型微波处理制备表面缺陷型Cl掺杂g-C3N4光催化材料及其方法和应用。采用热聚合法制备本体g-C3N4材料，使用微波消解仪在盐酸介质中对制得的本体g-C3N4进行微波酸处理，据此得到表面缺陷型Cl掺杂g-C3N4材料。本发明的新型表面缺陷Cl掺杂g-C3N4材料呈现天然海绵状结构，盐酸中Cl原子占据氮空位，掺杂到g-C3N4骨架中，电子分布不均从而形成表面极化场，降低材料表面的空穴电子复合率，增强光催化剂活性。本发明的材料对双氯芬酸钠、苯酚和双酚A的降解率分别为97%，85.7％和88.2％，分别高于本体g-C3N4的96%、50.7％和48.7％。
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公开(公告)号：CN111545232B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202010260699.0
申请日：2020-04-03
Applicant: 北京建筑大学
IPC: B01J27/24 , B01J37/34 , C02F1/30 , C01B21/083 , B82Y40/00 , C02F101/36 , C02F101/34 , C02F101/38
Abstract: 本发明提供一种新型微波处理制备表面缺陷型Cl掺杂g‑C3N4光催化材料及其方法和应用。采用热聚合法制备本体g‑C3N4材料，使用微波消解仪在盐酸介质中对制得的本体g‑C3N4进行微波酸处理，据此得到表面缺陷型Cl掺杂g‑C3N4材料。本发明的新型表面缺陷Cl掺杂g‑C3N4材料呈现天然海绵状结构，盐酸中Cl原子占据氮空位，掺杂到g‑C3N4骨架中，电子分布不均从而形成表面极化场，降低材料表面的空穴电子复合率，增强光催化剂活性。本发明的材料对双氯芬酸钠、苯酚和双酚A的降解率分别为97%，85.7％和88.2％，分别高于本体g‑C3N4的96%、50.7％和48.7％。
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