公开(公告)号：CN109233818A

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201710558501.5

申请日：2017-07-11

Applicant: 北京师范大学

Inventor： 李运超 ,  李冬 ,  邢观洁 ,  蔡文昊

IPC: C09K11/57 ,  C09K11/88 ,  G01J1/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料领域，具体涉及选择性吸收日盲区紫外光的Mn掺杂ZnS超细纳米线及其制备方法和应用。本发明利用低温原位组装生长与可控掺杂的新方法制备了Mn掺杂ZnS超细纳米线，其线径为0.8nm,带隙为4.44eV，能高选择性吸收日盲区(即UVC波段)紫外光；另外该纳米线通过Mn离子掺杂还可发射具有较高量子产率的红橙色荧光。将上述Mn掺杂ZnS超细纳米线与ZnSe以及ZnTe超细纳米线结合所构造的光致变色卡，可实现对UVC、UVB和UVA波段紫外光的可视化检测，并且具备低成本、可视化、便携化、检测快速等特点。

公开(公告)号：CN109233818B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201710558501.5

申请日：2017-07-11

Applicant: 北京师范大学

Inventor： 李运超 ,  李冬 ,  邢观洁 ,  蔡文昊

IPC: C09K11/57 ,  C09K11/88 ,  G01J1/50 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明涉及纳米材料领域，具体涉及选择性吸收日盲区紫外光的Mn掺杂ZnS超细纳米线及其制备方法和应用。本发明利用低温原位组装生长与可控掺杂的新方法制备了Mn掺杂ZnS超细纳米线，其线径为0.8nm,带隙为4.44eV，能高选择性吸收日盲区(即UVC波段)紫外光；另外该纳米线通过Mn离子掺杂还可发射具有较高量子产率的红橙色荧光。将上述Mn掺杂ZnS超细纳米线与ZnSe以及ZnTe超细纳米线结合所构造的光致变色卡，可实现对UVC、UVB和UVA波段紫外光的可视化检测，并且具备低成本、可视化、便携化、检测快速等特点。