公开(公告)号：CN108735561A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710242570.5

申请日：2017-04-14

Applicant: 北京师范大学

Inventor： 程国安 ,  张权 ,  王茜娟 ,  郑瑞廷

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公布了一种高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法，即利用微纳操纵转移工艺，将碳纳米管阵列转移并固定在金属支撑体上，实现碳纳米管阵列与金属支撑体的高强度粘接，制备出具有高场发射电流密度及良好电流-时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。器件制备工艺及所需设备简单，可控性良好。构建过程包括：利用化学气相沉积方法制备多壁碳纳米管阵列；利用微纳操纵和胶黏剂转移并固定碳纳米管阵列至金属支撑体，得到拥有高电流密度及良好电流-时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。本发明通过提高碳纳米管阵列与基体的结合强度，实现高电流密度及良好电流-时间稳定性的碳纳米管阵列场发射冷阴极制备，拓展了一维纳米材料的应用领域。

公开(公告)号：CN108735561B

公开(公告)日：2020-02-07

申请号：CN201710242570.5

申请日：2017-04-14

Applicant: 北京师范大学

Inventor： 程国安 ,  张权 ,  王茜娟 ,  郑瑞廷

IPC: H01J1/304 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明公布了一种高场发射电流密度碳纳米管阵列冷阴极及其制备方法，即利用微纳操纵转移工艺，将碳纳米管阵列转移并固定在金属支撑体上，实现碳纳米管阵列与金属支撑体的高强度粘接，制备出具有高场发射电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。器件制备工艺及所需设备简单，可控性良好。构建过程包括：利用化学气相沉积方法制备多壁碳纳米管阵列；利用微纳操纵和胶黏剂转移并固定碳纳米管阵列至金属支撑体，得到拥有高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列冷阴极。本发明通过提高碳纳米管阵列与基体的结合强度，实现高电流密度及良好电流‑时间稳定性的碳纳米管阵列场发射冷阴极制备，拓展了一维纳米材料的应用领域。