硅微纳米结构气体传感器及其制作方法

    公开(公告)号:CN101793855A

    公开(公告)日:2010-08-04

    申请号:CN201010132786.4

    申请日:2010-03-26

    Inventor: 彭奎庆 王新

    Abstract: 本发明公开了一种属于新材料技术领域的硅微纳米结构气体传感器及其制作方法。其特征在于采用金属催化硅腐蚀制备硅微纳米结构,适当添加铂(或金)等催化剂,可以制得对一氧化氮、二氧化氮等氮氧化合物气体、氨气等气体敏感的硅微纳米结构气体传感器。硅微纳米结构气体传感器具有选择性好、稳定性好、寿命长的优点,且工艺稳定,重复性好,便于批量生产。

    硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池

    公开(公告)号:CN102956719B

    公开(公告)日:2016-03-30

    申请号:CN201110249977.3

    申请日:2011-08-29

    Inventor: 王新 彭奎庆

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本发明公开了一种属于太阳能电池技术领域的硅微纳米结构选择性发射极太阳能电池。其特征在于采用纳米硅浆料和硅刻蚀技术形成的硅微纳米结构在硅片表面形成栅线图形形状,后续采用常规的电池技术,即一次扩散、刻蚀周边、沉积氮化硅、丝印电极,形成一种易于产业化的选择发射极电池。所述太阳能转换装置在P型硅基表面通过旋涂,金属催化腐蚀等方法制备出硅微纳米结构的栅型结构,在硅纳米结构上面制备电极,形成选择型发射区,提高太阳能装置的效率。本发明提供的一种新型的一次扩散太阳能电池选择性发射区的方法,可提高电池效率,直接在硅表面得到可以制备选择性发射区的结构,精简了硅纳米浆料的制备步骤,降低生产成本。

    一种多用途Silicon/α-Fe2O3微纳米复合材料制备方法

    公开(公告)号:CN103372433A

    公开(公告)日:2013-10-30

    申请号:CN201210109077.3

    申请日:2012-04-16

    Inventor: 彭奎庆 王新

    Abstract: 本发明涉及一种多用途Silicon/α-Fe2O3微纳米复合材料制备方法,属于新材料制备技术领域。本发明将金属催化硅腐蚀技术与高温热退火方法相结合,公开了一种简单的Silicon/α-Fe2O3微纳米复合材料制备方法。该复合材料是具有表面异质结结构的复合材料,在太阳能光催化、锂电池负极材料以及气敏传感器等领域具有广泛的应用前景。本发明原材料成本低,制备工艺简单,适合工业化生产。

    一种去除锑的Fe-Cu二元氧化物吸附剂的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN108295804A

    公开(公告)日:2018-07-20

    申请号:CN201810156188.7

    申请日:2018-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种去除锑的Fe-Cu二元氧化物吸附剂的制备方法及应用。本发明吸附剂以铁盐和铜盐为原料,将含有Fe离子与含有Cu离子的溶液混合,然后充分搅拌并用NaOH溶液调节pH,通过共沉淀、超声分散、陈化、离心、洗涤、干燥、研磨、过筛,即得到Fe-Cu二元氧化物吸附剂。该吸附剂制备工艺简单,无需高温高压,低能耗,条件易控制,危险性低,原材料成本低。该吸附剂结合了铁氧化物和铜氧化物的优点,吸附剂具有许多粗糙的微观吸附孔道和较大的比表面积,表面具有丰富的羟基,提高了对锑的协同吸附能力。该吸附剂可应用于废水中锑的深度净化和安全控制。

    一种去除锑的Fe-Ti二元氧化物吸附剂的制备方法及应用

    公开(公告)号:CN108262002A

    公开(公告)日:2018-07-10

    申请号:CN201810156302.6

    申请日:2018-02-24

    Abstract: 本发明公开了一种去除锑的Fe-Ti二元氧化物吸附剂的制备方法及应用,属于重金属污染水体处理领域。本发明吸附剂以铁盐和钛盐为原料,调节pH、共沉淀、超声分散、陈化、离心、洗涤、干燥、研磨、过筛,即得到Fe-Ti二元氧化物吸附剂。该吸附剂结合了铁氧化物和钛氧化物的优点,具有许多粗糙的微观吸附孔道和较大的比表面积,表面含有丰富的羟基,吸附速度快,吸附容量高,可以选择性的协同吸附废水中的锑。本发明的吸附剂可应用于废水中锑的深度净化和安全控制。

    纳米硅气敏材料及气敏元件

    公开(公告)号:CN101419179A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200810183121.9

    申请日:2008-12-12

    Inventor: 彭奎庆 王新

    Abstract: 本发明公开了一种属于新材料技术与纳米材料领域的纳米硅气敏材料及气敏元件。其特征在于采用金属催化硅腐蚀制备纳米硅,适当添加铂(或金)等催化剂,可以制得基于纳米硅的气敏材料及对一氧化氮、二氧化氮等氮氧化合物气体、氨气等气体敏感的气敏元件。本发明具有元件选择性好,抗温、湿性能好,稳定性好,寿命长的优点,且无环境污染,工艺稳定,重复性好,便于批量生产。

    一种新型结构硅纳米线太阳能电池

    公开(公告)号:CN101369610A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200810211359.8

    申请日:2008-09-23

    Inventor: 彭奎庆 王新

    CPC classification number: Y02B10/10 Y02E10/50

    Abstract: 本发明“一种新型结构硅纳米线太阳能电池”公开了一种属于纳米材料与新能源技术领域的硅纳米线阵列太阳能电池装置。其特征在于所述透明氧化铟锡导电薄膜层和P型硅基底层之间含有p型纳米硅线/i型非晶硅薄膜/n型非晶硅薄膜三维异质结层。所述太阳能转换装置含有依次相叠的各层为:Ti/Pd/Ag栅形电极,作为正面引出电极;透明ITO导电薄膜层,起透光作用并作为正面引出电极;n型非晶硅薄膜层位于i型非晶硅薄膜层之上,i型非晶硅薄膜层位于p型纳米硅线层之上,p型纳米硅线位于P型硅基底层之上;n型非晶硅薄膜层、i型非晶硅薄膜层、p型纳米硅线层三层结构形成n-i-p异质结;P型硅基底层,作为太阳能电池的基区;铝金属膜背电极,作为背面引出电极。本发明提供的这种具有新型结构的太阳能转换装置,光吸收能力强,光电转换效率高。

    一种新型硅纳米线光电化学太阳能电池

    公开(公告)号:CN101369493A

    公开(公告)日:2009-02-18

    申请号:CN200810211358.3

    申请日:2008-09-23

    Inventor: 彭奎庆 王新

    Abstract: 本发明“一种新型硅纳米线光电化学太阳能电池”公开了一种属于纳米材料与新能源技术领域的硅纳米线太阳能电池装置。其特征在于所述电解质溶液层和n型硅基底之间是铂纳米颗粒修饰的n型硅纳米线阵列层。所述太阳能电池含有依次相叠的各层为:透光玻璃层,其作用是透过太阳光;透明氧化铟锡导电薄膜层,作为引出电极;石墨层,作为辅助电极;绝缘封闭层,其作用是防止电解质溶液泄漏;电解质溶液,其作用是传递电荷;铂纳米颗粒修饰的n型硅纳米线阵列层,位于n型硅基底之上,作为太阳能电池的光活性层;n型硅基底层,作为太阳能电池的基区;Ti/Pd/Ag金属膜欧姆接触电极层,作为引出电极。本发明提供的这种新型结构的太阳能转换装置,光吸收能力强,光电转换效率高。

    硅纳米洞阵列光伏材料及光伏电池制备技术

    公开(公告)号:CN102201486B

    公开(公告)日:2014-04-16

    申请号:CN201010132773.7

    申请日:2010-03-26

    Inventor: 彭奎庆 王新

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种属于新材料与太阳能技术领域的硅纳米洞阵列光伏材料及光伏电池制备技术。本发明将金属催化硅腐蚀技术与光刻技术或纳米自组装技术相结合,研制出了一种大面积高度有序硅纳米洞阵列的制备方法。这种大面积有序硅纳米洞阵列结构具有优异的减反射与宽光谱吸收性能,是一种优异的光伏材料。本发明提供的硅纳米洞阵列光伏电池具有光吸收能力强,载流子收集效率高,光电转换效率高等优点。

    硅纳米洞阵列光伏材料及光伏电池制备技术

    公开(公告)号:CN102201486A

    公开(公告)日:2011-09-28

    申请号:CN201010132773.7

    申请日:2010-03-26

    Inventor: 彭奎庆 王新

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种属于新材料与太阳能技术领域的硅纳米洞阵列光伏材料及光伏电池制备技术。本发明将金属催化硅腐蚀技术与光刻技术或纳米自组装技术相结合,研制出了一种大面积高度有序硅纳米洞阵列的制备方法。这种大面积有序硅纳米洞阵列结构具有优异的减反射与宽光谱吸收性能,是一种优异的光伏材料。本发明提供的硅纳米洞阵列光伏电池具有光吸收能力强,载流子收集效率高,光电转换效率高等优点。

Patent Agency Ranking