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公开(公告)号：CN103427018A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310287989.4
申请日：2013-07-10
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出了一种具有磁畴壁可调控的锰氧化物薄膜的器件，包括锰氧化物核心单元和磁畴壁调控单元；锰氧化物核心单元包括三层结构，分别是从上到下依次设置的导电锰氧化物薄膜，绝缘衬底，金属导电底座；磁畴壁调控单元为磁性导电针尖，该磁性导电针尖的磁化方向垂直于上述锰氧化物薄膜表面，并且该针尖与上述锰氧化物膜的顶膜面紧密接触，并可沿该顶膜面移动；另外本发明还提出了一种锰氧化物薄膜的磁畴壁调控方法，该方法基于针尖低电压的交流电场效应来移动磁畴壁的位置；基于上述器件和方法，本发明提出磁存储器及该磁存储器的写入方法。由于采用的电压幅度较小，没有热效应，因而降低了功耗。
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公开(公告)号：CN105405967B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201510971655.8
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京师范大学 , 北京师大科技园科技发展有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴的偏离方向即为该斜切单晶衬底的斜切偏移方向，该方向为预设方向；该信息存储单元采用所述单晶衬底的斜切偏移方向来控制磁畴壁的排列。基于上述信息存储单元，本发明还公开了一种只读存储器的结构。所述信息存储单元以及只读存储器解决了现有阶段存储器受磁场干扰损坏存储信息的问题。
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公开(公告)号：CN105405967A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510971655.8
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京师范大学 , 北京师大科技园科技发展有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴的偏离方向即为该斜切单晶衬底的斜切偏移方向，该方向为预设方向；该信息存储单元采用所述单晶衬底的斜切偏移方向来控制磁畴壁的排列。基于上述信息存储单元，本发明还公开了一种只读存储器的结构。所述信息存储单元以及只读存储器解决了现有阶段存储器受磁场干扰损坏存储信息的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107681016B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN201710851913.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京师范大学 , 北京师大科技园科技发展有限责任公司
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种电压控制的、光电导呈正负可逆变化的薄膜器件及调控法。其中，该薄膜器件从上到下依次包括第一电极、薄膜、衬底和第二电极。其中，薄膜为半导体材料，外延生长于衬底的一侧；衬底为铁电性氧化物绝缘体或先兆性铁电性氧化物绝缘体；第一电极位于薄膜上；第二电极位于衬底的另一面。其中，薄膜优选为载流子浓度低于1×1020/cm3的锰氧化物，可选为锰酸镧、锰酸钕或锰酸镨；衬底优选为具有钙钛矿结构的、具有先兆性铁电性氧化物绝缘体属性的钛酸锶单晶。第一电极和第二电极优选为金电极或铝电极。由此，本发明所述的薄膜器件的光电导可以呈正、负可逆变化，因而解决了如何降低光敏电阻器件应用复杂性的技术问题。
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公开(公告)号：CN107681016A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201710851913.8
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京师范大学 , 北京师大科技园科技发展有限责任公司
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种电压控制的、光电导呈正负可逆变化的薄膜器件及调控法。其中，该薄膜器件从上到下依次包括第一电极、薄膜、衬底和第二电极。其中，薄膜为半导体材料，外延生长于衬底的一侧；衬底为铁电性氧化物绝缘体或先兆性铁电性氧化物绝缘体；第一电极位于薄膜上；第二电极位于衬底的另一面。其中，薄膜优选为载流子浓度低于1×1020/cm3的锰氧化物，可选为锰酸镧、锰酸钕或锰酸镨；衬底优选为具有钙钛矿结构的、具有先兆性铁电性氧化物绝缘体属性的钛酸锶单晶。第一电极和第二电极优选为金电极或铝电极。由此，本发明所述的薄膜器件的光电导可以呈正、负可逆变化，因而解决了如何降低光敏电阻器件应用复杂性的技术问题。
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公开(公告)号：CN103427018B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201310287989.4
申请日：2013-07-10
Applicant: 北京师范大学
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1659
Abstract: 本发明提出了一种具有磁畴壁可调控的锰氧化物薄膜的器件，包括锰氧化物核心单元和磁畴壁调控单元；锰氧化物核心单元包括三层结构，分别是从上到下依次设置的导电锰氧化物薄膜，绝缘衬底，金属导电底座；磁畴壁调控单元为磁性导电针尖，该磁性导电针尖的磁化方向垂直于上述锰氧化物薄膜表面，并且该针尖与上述锰氧化物膜的顶膜面紧密接触，并可沿该顶膜面移动；另外本发明还提出了一种锰氧化物薄膜的磁畴壁调控方法，该方法基于针尖低电压的交流电场效应来移动磁畴壁的位置；基于上述器件和方法，本发明提出磁存储器及该磁存储器的写入方法。由于采用的电压幅度较小，没有热效应，因而降低了功耗。
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公开(公告)号：CN207165593U
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201721201443.2
申请日：2017-09-19
Applicant: 北京师范大学 , 北京师大科技园科技发展有限责任公司
IPC: H01L31/102 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本实用新型提供了一种电压控制的、光电导呈正负可逆变化的薄膜器件。其中，该薄膜器件从上到下依次包括第一电极、薄膜、衬底和第二电极。其中，薄膜为半导体材料，外延生长于衬底的一侧；衬底为铁电性氧化物绝缘体或先兆性铁电性氧化物绝缘体；第一电极位于薄膜上；第二电极位于衬底的另一面。其中，薄膜优选为载流子浓度低于1×1020/cm3的锰氧化物，可选为锰酸镧、锰酸钕或锰酸镨；衬底优选为具有钙钛矿结构的、具有先兆性铁电性氧化物绝缘体属性的钛酸锶单晶。第一电极和第二电极优选为金电极或铝电极。由此，本实用新型所述的薄膜器件的光电导可以呈正、负可逆变化，因而解决了如何降低光敏电阻器件应用复杂性的技术问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN205508885U
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201521077598.0
申请日：2015-12-22
Applicant: 北京师范大学 , 北京师大科技园科技发展有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开了一种信息存储单元以及只读存储器，该信息存储单元包括斜切单晶衬底和铁磁性薄膜；所述斜切单晶衬底包括第一晶体轴；所述铁磁性薄膜具有多个磁畴。其中，所述斜切单晶衬底与所述铁磁性薄膜的接触面的法线相对于所述第一晶体轴的偏离方向即为该斜切单晶衬底的斜切偏移方向，该方向为预设方向；该信息存储单元采用所述单晶衬底的斜切偏移方向来控制磁畴壁的排列。基于上述信息存储单元，本实用新型还公开了一种只读存储器的结构。所述信息存储单元以及只读存储器解决了现有阶段存储器受磁场干扰损坏存储信息的问题。
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