公开(公告)号：CN120010144A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202510201564.X

申请日：2025-02-24

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 ,  于文迪 ,  苏金宝 ,  常鹏鹰 ,  马正泰

IPC: G02F1/13 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/29 ,  H01S5/183 ,  H01S5/42 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明公开了基于VCSEL锁相阵列和液晶的动态可调特种光束生成芯片，通过采用质子注入型同相耦合VCSEL阵列作为大面积近场均匀的相干激光源，利用其平面结构和垂直出射特点，直接在其表平面集成光学相控阵，从而形成微型集成相控激光扫描芯片。研究了液晶光学相控阵和同相耦合VCSEL阵列的集成技术、制备工艺等关键技术。该芯片不需要光学元件、光纤或者光源与相控阵耦合效率高，芯片整体体积小，封装简单，可靠性高，实现了微型相控特种光束芯片，为各种光束偏转及成像应用提供了一种可供选择的芯片级光束扫描方法，同时液晶的动态可调也为实现涡旋光束的生成、调制提供一种可靠的方法。

公开(公告)号：CN119922997A

公开(公告)日：2025-05-02

申请号：CN202510095344.3

申请日：2025-01-21

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 解意洋 ,  穆鑫博 ,  苏金宝 ,  常鹏鹰 ,  邓军 ,  刘莹 ,  马正泰

IPC: H10F30/222 ,  H10F77/12 ,  H10F77/122 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种宽光谱响应的石墨烯/PbS异质结光电探测器及制备方法，属于半导体光电集成技术领域。该方法通过化学水浴法在衬底上合成硫化铅纳米薄膜，并通过优化工艺条件成功构建了石墨烯/硫化铅异质结结构。该异质结构通过自发形成的内建电场，有效延长了光生载流子的寿命，增强了光电探测器的响应性能。石墨烯的高载流子迁移率与硫化铅的优异红外吸收特性相结合，实现了高响应率的光电探测功能。测试结果表明，在792nm和1550nm激光照射下，器件的响应率分别为72A/W和5.8A/W。优化后的探测器具有265nm至2200nm的宽光谱响应范围，且响应时间小于10毫秒。本发明提供的光电探测器具有较高的性能，且无需选择性衬底，具有较好的应用前景。