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公开(公告)号：CN105979529B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610472227.5
申请日：2016-06-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开一种LTE‑U密集网络中提高容量且保护Wi‑Fi公平性的信道接入方法，采用了基于竞争机制的信道接入方式，即通过联盟博弈的方式，使参与信道竞争的LTE‑U基站形成不同的分簇，并在每个分簇中采用合理的子信道分配方案，达到了减少竞争基站的数目的目标，具有既提高信道利用率，进而提高LTE‑U系统容量，又降低对Wi‑Fi系统干扰，保证Wi‑Fi系统公平性的优势。
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公开(公告)号：CN105933982A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610490524.2
申请日：2016-06-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: H04W72/04
CPC classification number: H04W72/042 , H04W72/0406
Abstract: 本发明公开一种LTE‑U网络中的传输机会共享方法，采用了LTE‑U基站间协调机制，通过抢占到非授权频段上的信道的节点可以与周围基站分享传输机会，增大非授权频谱的空间复用，达到增加LTE‑U网络中的并行传输、解决暴露终端问题的目的；采用本发明的技术方案，还可以具有增大LTE‑U网络容量的特点。
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公开(公告)号：CN106211350A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610490522.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H04W74/0808 , H04W72/0413 , H04W72/042 , H04W74/085
Abstract: 本发明提供一种基于接收侧载波侦听的非授权频段接入方法，采用基于接收端的载波侦听机制，FDD LTE-U基站在非授权频段进行下行传输之前，由接收端，即终端，而非基站进行信道的载波侦听。当接收端确定可以接入非授权频段进行传输时，终端会立即通过授权频段反馈给基站一个可以占用信道的信息，FDD LTE-U基站接收到该信号后，会立即占用非授权频段进行下行链路的传输。由终端进行载波侦听可以避免“暴露终端”和“隐藏终端”的问题，使得LTE-U基站网络中的并行传输机会得到充分而恰当的使用，具有增大LTE-U网络容量的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105979529A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610472227.5
申请日：2016-06-24
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H04W16/14 , H04W72/1215 , H04W74/0816 , H04W74/0825
Abstract: 本发明公开一种LTE‑U密集网络中提高容量且保护Wi‑Fi公平性的信道接入方法，采用了基于竞争机制的信道接入方式，即通过联盟博弈的方式，使参与信道竞争的LTE‑U基站形成不同的分簇，并在每个分簇中采用合理的子信道分配方案，达到了减少竞争基站的数目的目标，具有既提高信道利用率，进而提高LTE‑U系统容量，又降低对Wi‑Fi系统干扰，保证Wi‑Fi系统公平性的优势。
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公开(公告)号：CN106702468B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201611261396.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种等电位立式全浸没阴极高效连续制备金属薄膜的方法属于薄膜材料制造领域。本发明以金属闭合环形带为阴极，该阴极采取立式的安装方式，使其侧面与镀槽底面呈垂直关系，并采用双向电沉积的形式进行镀膜，镀膜过程中环形阴极完全浸没在镀液中。本发明有效解决了环形阴极内侧的沉积问题，同时解决了析氢累积对金属薄膜质量的影响，实现了高效率连续制备金属薄膜的目的。
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公开(公告)号：CN106211350B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201610490522.3
申请日：2016-06-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于接收侧载波侦听的非授权频段接入方法，采用基于接收端的载波侦听机制，FDD LTE‑U基站在非授权频段进行下行传输之前，由接收端，即终端，而非基站进行信道的载波侦听。当接收端确定可以接入非授权频段进行传输时，终端会立即通过授权频段反馈给基站一个可以占用信道的信息，FDD LTE‑U基站接收到该信号后，会立即占用非授权频段进行下行链路的传输。由终端进行载波侦听可以避免“暴露终端”和“隐藏终端”的问题，使得LTE‑U基站网络中的并行传输机会得到充分而恰当的使用，具有增大LTE‑U网络容量的特点。
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公开(公告)号：CN109797414A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201910192002.8
申请日：2019-03-14
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明涉及一种获得高软磁性能电沉积可剥离铁钴合金薄膜的方法，属于电化学应用领域。本发明将采用不锈钢薄带作为阴极，同时不锈钢薄带进行电化学抛光、物理磁控溅射镀钛或氮化钛处理，减少不锈钢基带的应力同时增加基带的导电性和耐腐蚀性；使用超声去污处理；配制铁钴合金电沉积电解液；使用分离阳极铁板和钴板；在温度为30～70℃条件下，电流采用1.0～3.5A/dm2的电流区间内进行，在直流电源进行沉积15～70分钟；电沉积得到铁钴合金进行清洗，干燥将从不锈钢基体上剥离，从而得到铁钴合金薄膜；为了得到高饱和磁化强度、高磁导率的铁钴合金薄膜，将其进行在300℃～650℃进行热处理1～4小时。
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公开(公告)号：CN106702468A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611261396.0
申请日：2016-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种等电位立式全浸没阴极高效连续制备金属薄膜的方法属于薄膜材料制造领域。本发明以金属闭合环形带为阴极，该阴极采取立式的安装方式，使其侧面与镀槽底面呈垂直关系，并采用双向电沉积的形式进行镀膜，镀膜过程中环形阴极完全浸没在镀液中。本发明有效解决了环形阴极内侧的沉积问题，同时解决了析氢累积对金属薄膜质量的影响，实现了高效率连续制备金属薄膜的目的。
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