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公开(公告)号：CN102618741A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210096445.5
申请日：2012-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种锰铁磷硅磁致冷合金的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。首先将原材料锰、铁、磷、硅粉末按照名义成分Mn2-xFexP1-ySiy混合，0.8≤x≤1.0，0.4≤y≤0.6，然后进行高能球磨，在真空的条件下进行放电等离子烧结，获得锰铁磷硅合金块体；最后将得到的锰铁磷硅合金块体在氩气保护的条件下进行热处理，得到优良磁热性能的锰铁磷硅磁制冷合金。本发明可通过调整锰铁比例和磷硅比例在-50℃-50℃的调整其居里温度；所得锰铁磷硅合金在2特斯拉磁场下均具有较大的磁熵变，十分有利于合金在室温区磁制冷技术中使用。
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公开(公告)号：CN115747954A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211316081.7
申请日：2022-10-26
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了非共线反铁磁与铁磁两相共存Mn3Ge薄膜及其制备方法与应用。本发明两相共存Mn3Ge薄膜包括非共线反铁磁Mn3Ge六角相与铁磁Mn3Ge四方相两相共存。本发明两相共存Mn3Ge薄膜的制备方法及图案化的两相共存Mn3Ge霍尔bar的制备方法，包括如下步骤：在衬底上采用磁控溅射方法通过调节生长温度生长，得到两相共存Mn3Ge薄膜；对两相共存Mn3Ge薄膜进行光刻胶匀胶、曝光、显影、刻蚀、去胶，即得到图案化的两相共存Mn3Ge霍尔bar。本发明通过调节生长温度实现了非公线反铁磁与铁磁两相共存Mn3Ge薄膜的可控生长与反常霍尔效应的调控，从而获得了具有大反常霍尔效应和抗磁干扰性能优异的自旋存储材料，能够大大拓展Mn3Ge薄膜在自旋存储领域的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108461272B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810230981.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F41/02
Abstract: 一种用于形成氢化物纳米颗粒表面涂层的技术，属于磁性材料技术领域。分散剂中分散有不同颗粒大小的稀土氢化物颗粒和粘合剂，分散剂为无水丙酮等易挥发溶液，稀土为Pr、Nd、Tb、Dy中的至少一种，粘合剂为PVP(聚乙烯吡咯烷酮)等。采用喷涂方法将上述氢化物颗粒喷涂到烧结NdFeB稀土磁体表面，使之形成均匀，致密、不脱落且厚度可调控的稀土氢化物纳米颗粒涂层。稀土氢化物颗粒涂层可以明显改善较厚尺寸烧结稀土永磁体的磁性能，特别是磁体的矫顽力。采用本发明方法可以在保证磁体具有良好磁性能的前提下，降低烧结稀土永磁体中重稀土的使用量，从而减少高矫顽力磁体的制造成本。
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公开(公告)号：CN108461272A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810230981.7
申请日：2018-03-20
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F41/02
Abstract: 一种用于形成氢化物纳米颗粒表面涂层的技术，属于磁性材料技术领域。分散剂中分散有不同颗粒大小的稀土氢化物颗粒和粘合剂，分散剂为无水丙酮等易挥发溶液，稀土为Pr、Nd、Tb、Dy中的至少一种，粘合剂为PVP(聚乙烯吡咯烷酮)等。采用喷涂方法将上述氢化物颗粒喷涂到烧结NdFeB稀土磁体表面，使之形成均匀，致密、不脱落且厚度可调控的稀土氢化物纳米颗粒涂层。稀土氢化物颗粒涂层可以明显改善较厚尺寸烧结稀土永磁体的磁性能，特别是磁体的矫顽力。采用本发明方法可以在保证磁体具有良好磁性能的前提下，降低烧结稀土永磁体中重稀土的使用量，从而减少高矫顽力磁体的制造成本。
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公开(公告)号：CN102618741B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201210096445.5
申请日：2012-04-01
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种锰铁磷硅磁致冷合金的制备方法，属于磁性材料制备技术领域。首先将原材料锰、铁、磷、硅粉末按照名义成分Mn2-xFexP1-ySiy混合，0.8≤x≤1.0，0.4≤y≤0.6，然后进行高能球磨，在真空的条件下进行放电等离子烧结，获得锰铁磷硅合金块体；最后将得到的锰铁磷硅合金块体在氩气保护的条件下进行热处理，得到优良磁热性能的锰铁磷硅磁制冷合金。本发明可通过调整锰铁比例和磷硅比例在-50℃-50℃的调整其居里温度；所得锰铁磷硅合金在2特斯拉磁场下均具有较大的磁熵变，十分有利于合金在室温区磁制冷技术中使用。
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公开(公告)号：CN204089227U
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201420226955.4
申请日：2014-05-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: H02J7/00
Abstract: 霍尔智能断电开关系统，属电路控制器件技术领域。包括一个霍尔元件、一个三极管放大电路，一个电感，一个电磁继电器，一个电阻及两个电源外接接口；将电感的其中一个管脚与待冲电源相连，另一个管脚与电磁继电器的管脚4相连；电磁继电器的管脚1与三极管的集电极c相连，电磁继电器的管脚16和管脚11与变压器的负极相连；三极管的发射极e与变压器正极相连，基极b与霍尔开关的Out管脚相连，霍尔开关的Vcc管脚与变压器正极相连，霍尔开关的GND管脚先连上一个电阻再将电阻与变压器负极相连。其利用霍尔开关电磁转换的性质，达到智能控制电路的目的。具体包括当电路接通时，移动电源充电，当充电电源充满后，电流为零，充电电路断开，保护了移动电源。
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