公开(公告)号：CN105439084A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510886442.5

申请日：2015-12-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 刘丹敏 ,  田楠 ,  袁振洲 ,  杨炎翰 ,  张永哲

IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

CPC classification number: B82B3/0009 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0669

Abstract: 本发明涉及一种新型半导体KP15纳米线及其制备工艺，该半导体纳米线的分子式为KP15，制备工艺为液相剥离或机械剥离。其优点是：所制备的半导体纳米线具有高各向异性，纳米线方向沿P15管方向，纳米线宽度最小可达80nm,所制备的纳米线是通过液相剥离或机械剥离的方法直接从KP15块上剥离下来，液相剥离所用剥离溶液易挥发且所用设备简单易维护。所制得的纳米线对今后研究KP15半导体纳米线有着重要意义。