公开(公告)号：CN110808281A

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201911084034.2

申请日：2019-11-07

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  李毓佛 ,  陈永锋 ,  王佳蕊 ,  安博星 ,  马洋 ,  严辉

IPC: H01L29/225 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

Abstract: 一种单层MoS2-WS2横向异质结的制备方法，属于纳米材料生长领域。对选择的前驱体源进行电化学氧化处理，实现对应钼、钨两种金属的前驱体源在不同温度挥发，通过化学气相沉积法一步制备微米级清晰界面的横向异质结。本发明生长横向异质结的方法是，在可精确控温的管式炉中，使用惰性气体作为反应源(钼源、钨源和硫源)的输运气体，控制发生不同的化学气相沉积反应形成横向异质结。本发明制备的单层MoS2-WS2横向异质结，具有微米级清晰的异质结分界线，横向尺寸可达到一百微米以上。该方法生长过程可控性高，能够有效的扩宽生长温度窗口，降低生长温度，实现尺寸、界面可控生长。

公开(公告)号：CN111041450A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN202010007011.8

申请日：2020-01-03

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张永哲 ,  王佳蕊 ,  马洋 ,  安博星 ,  李毓佛 ,  严辉

IPC: C23C16/30 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明公开一种碱辅助化学气相沉积生长大面积单层二硫化钨的制备方法，属于纳米材料领域。本方法采用在化学气相沉积法生长过程中，通过碱作为促进剂，辅助生长单层二硫化钨。其中氧化钨源与碱的质量比为8:1-2:1。本发明利用碱辅助生长二硫化钨，可以有效地降低生长温度，在常压下，实现快速生长和制备大面积单层二硫化钨样品，且制备的二硫化钨具有高的光致发光强度。该实验方法工艺简单，重复性好，对环境友好，且原料成本低，适合大规模生产。