公开(公告)号：CN103400872B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310275872.4

申请日：2013-06-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭霞 ,  周弘毅 ,  栾信信

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法属于光电探测器。该PIN光电探测器其特征在于：在原来覆盖整个光敏面的单一p型轻掺杂区105，选择性的加入p型重掺杂区106，同时使p型重掺杂区106与p型欧姆接触层104相连，使得纵向电场得到增强，提高探测器响应速度，同时引入横向电场，增加光生空穴的输运通道，降低输运电阻，减少p型轻掺杂区105中的光生空穴向电极输运时的非辐射复合，提高光生空穴收集效率，从而有效地提高了量子效率。本发明提供一种表面电场增强的PIN光电探测器的结构设计和制备工艺，解决了传统结构的光电探测器对光生载流子收集效率低的问题，提高了器件的光谱响应。

公开(公告)号：CN103400872A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201310275872.4

申请日：2013-06-30

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郭霞 ,  周弘毅 ,  栾信信

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/105 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 表面电场增强的PIN光电探测器的结构及其制备方法属于光电探测器。该PIN光电探测器其特征在于：在原来覆盖整个光敏面的单一p型轻掺杂区105，选择性的加入p型重掺杂区106，同时使p型重掺杂区106与p型欧姆接触层104相连，使得纵向电场得到增强，提高探测器响应速度，同时引入横向电场，增加光生空穴的输运通道，降低输运电阻，减少p型轻掺杂区105中的光生空穴向电极输运时的非辐射复合，提高光生空穴收集效率，从而有效地提高了量子效率。本发明提供一种表面电场增强的PIN光电探测器的结构设计和制备工艺，解决了传统结构的光电探测器对光生载流子收集效率低的问题，提高了器件的光谱响应。