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发明公开
一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法审中-实审

公开(公告)号：CN119471279A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411611877.4

申请日：2024-11-13

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 潘世杰 , 冯士维 , 冯子璇 , 周胤奇 , 李海冰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种基于阈值电压变化的异质半导体器件陷阱密度测试方法，涉及功率半导体器件陷阱测试及可靠性评估领域。包括：将被测器件与瞬态阈值电压测试电路相连接；在陷阱填充过程中对器件施加负栅压，在陷阱测试过程中对器件源漏段施加测试电流变获取源漏电压变化即为阈值电压变化量；同时利用结构函数发处理得到每个陷阱导致的阈值电压变化量，通过计算分别获取每个陷阱的陷阱密度。本发明通过电路设计实现异质半导体器件瞬态阈值电压测试及陷阱密度计算，该方法可应用于不同来源的异质半导体器件陷阱密度测试，具有较好的普适性。

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