公开(公告)号：CN100590903C

公开(公告)日：2010-02-17

申请号：CN200810103803.4

申请日：2008-04-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 韩晓东 ,  成岩 ,  王珂 ,  张泽 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  张挺 ,  封松林

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11B7/243 ,  C22C12/00

Abstract: 用于相变存储器的Si-Te-Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge2Te5Sb2材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提供的一种用于相变存储器的硅-碲-锑存储材料，组成通式为SiaTebSb100-(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。该材料具有相对较高的结晶温度、较好的热稳定性以及更强的数据保持能力，同时还具有均匀的晶体相结构和纳米级的晶粒尺寸，在改善了疲劳特性的同时又具有较好的可逆相变能力。

公开(公告)号：CN101257090A

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200810103803.4

申请日：2008-04-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 韩晓东 ,  成岩 ,  王珂 ,  张泽 ,  宋志棠 ,  刘波 ,  张挺 ,  封松林

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11B7/243 ,  C22C12/00

Abstract: 用于相变存储器的Si－Te－Sb系列相变薄膜材料属于微电子技术领域。目前Ge2Te5Sb2材料的结晶温度较低(约为165度)面临着数据丢失的危险。本发明提供的一种用于相变存储器的硅－碲－锑存储材料，组成通式为SiaTebSb100－(a+b)，其中20≤a≤60，20≤b＜48。该材料具有相对较高的结晶温度、较好的热稳定性以及更强的数据保持能力，同时还具有均匀的晶体相结构和纳米级的晶粒尺寸，在改善了疲劳特性的同时又具有较好的可逆相变能力。