公开(公告)号：CN117690111A

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN202311451675.3

申请日：2023-11-02

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李嘉锋 ,  张康 ,  李彬 ,  卓力

IPC: G06V20/58 ,  G06V20/70 ,  G06V10/764 ,  G06V10/774 ,  G06V10/82 ,  G06V10/74 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明提供一种轨道交通障碍物检测方法、装置、存储介质及处理器，属于轨道交通智能检测技术领域。该方法通过对轨道交通训练数据中的未标注区域进行伪标签标注，以提高训练样本数据的数据量；然后通过对原始图‑文模型进行调整，得到分类模型，使其在轨道交通场景拥有更好的零样本分类性能；最后通过将传统目标检测模型的分类头与分类模型的输出层对齐，有效的将分类模型的分类能力迁移到了目标检测模型中，拓展了轨道交通场景下目标检测模型对未知类别对象的检测识别能力，提高了轨道交通障碍物检测的效率和准确率。

公开(公告)号：CN119947188A

公开(公告)日：2025-05-06

申请号：CN202510065047.4

申请日：2025-01-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 吴郁 ,  雷婧 ,  张康 ,  宋金辉 ,  周新田 ,  王智勇

IPC: H10D30/66 ,  H10D62/10

Abstract: 具有内集成二极管的功率MOS晶体管涉及功率半导体器件技术领域，包括漏极金属、N+漏区、由P柱与N柱交替排列或单一N漂移区构成的耐压层、栅槽及其内的侧壁栅氧层和多晶硅栅、多晶硅栅上表面的隔离氧化层、N+源区、P基区、位于源槽底部和侧壁的两处P+接触区、位于源槽侧壁与槽底交界处的积累型MOS栅槽、源槽侧壁处的肖特基接触、源极金属等。本发明的具有内集成二极管的功率MOS晶体管结构实现了MOSFET中MOS结势垒肖特基二极管的反并联集成，具有内二极管开启电压和正向压降低、开关速度快、功率损耗低、反向恢复特性好的特点，同时不影响MOS晶体管的正向导电。

公开(公告)号：CN117854033A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311465216.0

申请日：2023-11-06

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李嘉锋 ,  李彬 ,  卓力 ,  张康

IPC: G06V20/58 ,  G06V10/25 ,  G06V10/40 ,  G06V10/52 ,  G06V10/80 ,  G06N3/0464 ,  G06N3/0455 ,  G06N3/0499 ,  G06N3/084

Abstract: 本发明实施方式提供了一种目标检测方法、装置及电子设备，涉及点云处理技术领域。其中目标检测方法包括：以包括四个维度信息的点云数据作为输入数据，对所述点云数据进行多层反射强度鸟瞰图编码，并提取反射强度鸟瞰图特征；对所述点云数据进行三维体素编码，并提取三维体素特征；将所述反射强度鸟瞰图特征和所述三维体素特征融合后，采用第一阶段检测头对融合结果进行检测，得到三维区域建议；采用三维体素感兴趣区域池化层基于所述三维区域建议对所述三维体素特征进行池化，得到感兴趣区域特征；采用第二阶段检测头得到所述点云数据的检测结果。本发明提供的实施方式具有区分度好和处理效果高的优点。