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公开(公告)号：CN1252770C
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：CN03146114.X
申请日：2003-07-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微型电磁继电器及其制造方法属于先进制造技术领域。本发明是基于微机电系统工艺在硅片上制作的一种单稳态单触点微电磁继电器，它由硅基板(19)、励磁线圈(8)、继电器触点(13)、活动衔铁(16)和硅基板背面的铬铜薄膜层(5)、铁镍合金层(6)等部分组成；主要制造工艺特点是，1)首先从硅片背面开磁芯孔，但不刻蚀透，然后在基板正面上刻蚀出线圈槽；高温湿氧化后，在基板背面制作磁芯孔和磁路；2)从正面刻蚀透磁芯孔，然后采用溅射、电镀铜工艺制作励磁线圈；3)采用溅射银和光刻工艺制作继电器触点；4)采用电铸铁镍工艺制作活动衔铁。本发明具有质量体积小，生产成本低、可靠性高、继电器触点可通过较大电流等特点。
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公开(公告)号：CN1558433A
公开(公告)日：2004-12-29
申请号：CN200410000667.8
申请日：2004-01-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微机械电磁继电器及其制备方法，属于制造技术领域。本发明是基于半导体微细加工工艺在硅片上制作的一种单稳态微机械电磁继电器，它由硅基板(3)、励磁线圈(13)、继电器触点(16)、活动衔铁(21)和硅基板正面的底层磁路(8)、聚酰亚胺绝缘膜(9)等部分组成；主要制造工艺特点是，1)首先从硅片正面制作底层磁路槽，利用溅射、电镀在槽内形成底层磁路，同时引出励磁线圈的中心端子；2)在底层磁路上生成聚酰亚胺膜和二氧化硅膜，使表面平坦并与底层磁路绝缘；3)采用溅射铝和光刻工艺制作继电器的励磁线圈和触点；4)采用电铸铁镍工艺制作活动衔铁。本发明具有质量体积小，生产成本低，工艺简单，继电器触点可通过较大电流等特点。
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公开(公告)号：CN1479336A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03146114.X
申请日：2003-07-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微型电磁继电器及其制造方法属于先进制造技术领域。本发明是基于微机电系统工艺在硅片上制作的一种单稳态单触点微电磁继电器，它由硅基板(19)、励磁线圈(8)、继电器触点(13)、活动衔铁(16)和硅基板背面的铬铜薄膜层(5)、铁镍合金层(6)等部分组成；主要制造工艺特点是，1)首先从硅片背面开磁芯孔，但不刻蚀透，然后在基板正面上刻蚀出线圈槽；高温湿氧化后，在基板背面制作磁芯孔和磁路；2)从正面刻蚀透磁芯孔，然后采用溅射、电镀铜工艺制作励磁线圈；3)采用溅射银和光刻工艺制作继电器触点；4)采用电铸铁镍工艺制作活动衔铁。本发明具有质量体积小，生产成本低、可靠性高、继电器触点可通过较大电流等特点。
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公开(公告)号：CN1319096C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN200410000667.8
申请日：2004-01-16
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种微机械电磁继电器及其制备方法，属于制造技术领域。本发明是基于半导体微细加工工艺在硅片上制作的一种单稳态微机械电磁继电器，它由硅基板(3)、励磁线圈(13)、继电器触点(16)、活动衔铁(21)和硅基板正面的底层磁路(8)、聚酰亚胺绝缘膜(9)等部分组成；主要制造工艺特点是，1)首先从硅片正面制作底层磁路槽，利用溅射、电镀在槽内形成底层磁路，同时引出励磁线圈的中心端子；2)在底层磁路上生成聚酰亚胺膜和二氧化硅膜，使表面平坦并与底层磁路绝缘；3)采用溅射铝和光刻工艺制作继电器的励磁线圈和触点；4)采用电铸铁镍工艺制作活动衔铁。本发明具有质量体积小，生产成本低，工艺简单，继电器触点可通过较大电流等特点。
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