一种精细调控纳米多孔钨的制备方法

    公开(公告)号:CN113774461B

    公开(公告)日:2023-01-20

    申请号:CN202111207506.6

    申请日:2021-10-15

    Abstract: 一种精细调控纳米多孔钨的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法,在含氟离子的酸性环境下,进行恒压原位合成有序多孔三氧化钨(WO3)纳米材料薄膜,获得的纳米多孔三氧化钨在400‑700℃还原气体氢气中进行2‑4h脱氧退火热处理,最终得到孔径为50nm到80nm,孔深为200nm‑1000nm分布均匀,排列规整纳米多孔钨的方法。由此方法获得的纳米多孔钨我们可以通过控制氧化条件和环境进而制备出孔径从不规整到规整,孔深从200nm到1000nm进行选择制备,再加上钨金属的高耐腐性,化学性质稳定,具有广泛的应用前景。纳米多孔钨由于具有比表面积大,活性位点多等特点,所以被广泛应用于能量存储、催化、催化载体和传感等领域。

    一种精细调控纳米多孔钨的制备方法

    公开(公告)号:CN113774461A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111207506.6

    申请日:2021-10-15

    Abstract: 一种精细调控纳米多孔钨的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法,在含氟离子的酸性环境下,进行恒压原位合成有序多孔三氧化钨(WO3)纳米材料薄膜,获得的纳米多孔三氧化钨在400‑700℃还原气体氢气中进行2‑4h脱氧退火热处理,最终得到孔径为50nm到80nm,孔深为200nm‑1000nm分布均匀,排列规整纳米多孔钨的方法。由此方法获得的纳米多孔钨我们可以通过控制氧化条件和环境进而制备出孔径从不规整到规整,孔深从200nm到1000nm进行选择制备,再加上钨金属的高耐腐性,化学性质稳定,具有广泛的应用前景。纳米多孔钨由于具有比表面积大,活性位点多等特点,所以被广泛应用于能量存储、催化、催化载体和传感等领域。

    一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN117661022A

    公开(公告)日:2024-03-08

    申请号:CN202311680121.0

    申请日:2023-12-08

    Abstract: 一种纳米级高电导碳氮化钨异质结薄膜的制备方法,属于纳米孔薄膜技术领域。通过阳极氧化法在钨板上制备出纳米多孔三氧化钨薄膜,然后将其浸入含三聚氰胺的乙二醇溶液中30min,随后将其转移至管式炉,在700℃‑1000℃的Ar气氛下碳氮化1‑3h,最终得到膜层厚度为400±50nm的含有碳氮化钨异质结薄膜。碳氮化钨异质结薄膜可有效降低材料禁带宽度,电导率增强15倍,并兼具有多活性位点和高耐酸碱腐蚀等功能特性。此外,在异质结处存在不同程度的位错和畸变,用于增强半导体材料电子与空穴的分离,有益于电子从价带导带跃迁到导带。综合来说,能够较好的满足电催化领域的应用需求。

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