公开(公告)号：CN111048590B

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN201911361615.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贾云鹏 ,  夏天 ,  周新田 ,  赵元富 ,  胡冬青 ,  吴郁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法，结构包括：N‑漂移层；衬底层；漏极金属；JFET区；P‑base区；N+源区；P‑region区；P‑plus区；MOSFET栅氧；沟道二极管栅氧，厚度要小于MOSFET栅氧；MOSFET多晶硅栅；沟道二极管多晶硅栅；隔离氧；源极金属。一方面，在电路中充当续流二极管的作用时，完全消除传统SiC MOSFET结构因少数载流子复合发生的双极退化效应，并且具备更低的开启电压，减小了功率损耗；另一方面，器件的输入电容、转移电容及栅电荷特性得到了极大改善。此外，相比传统器件的制造方法，只增加了一步刻蚀栅氧工艺，控制了制作成本。

公开(公告)号：CN111048590A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201911361615.6

申请日：2019-12-26

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 贾云鹏 ,  夏天 ,  周新田 ,  赵元富 ,  胡冬青 ,  吴郁

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的双沟槽SiC MOSFET结构及其制备方法，结构包括：N-漂移层；衬底层；漏极金属；JFET区；P-base区；N+源区；P-region区；P-plus区；MOSFET栅氧；沟道二极管栅氧，厚度要小于MOSFET栅氧；MOSFET多晶硅栅；沟道二极管多晶硅栅；隔离氧；源极金属。一方面，在电路中充当续流二极管的作用时，完全消除传统SiC MOSFET结构因少数载流子复合发生的双极退化效应，并且具备更低的开启电压，减小了功率损耗；另一方面，器件的输入电容、转移电容及栅电荷特性得到了极大改善。此外，相比传统器件的制造方法，只增加了一步刻蚀栅氧工艺，控制了制作成本。

公开(公告)号：CN104960520B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201510420221.9

申请日：2015-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 段建民 ,  杨晨 ,  夏天

IPC: B60W30/10 ,  B60W40/10

Abstract: 基于Pure Pursuit算法的预瞄点确定方法，首先将GPS提供的空间大地坐标信息转换为UTM直角坐标信息，并将该信息传送给决策上位机；然后根据车辆当前行驶车速确定预瞄距离；以GPS提供的车辆当前位置为圆心，预瞄距离为半径画圆，根据该圆与期望路径的位置关系，确定预瞄点；利用Pure Pursuit算法，计算出智能车转角控制量，从而实现车辆对规划路径的跟踪。本发明针对无人驾驶智能车在规定路径上的跟踪实验，通过判断规划路径与预瞄圆的位置关系，确定预瞄点，筛选算法新颖，且计算量小、运算效率高、易于计算机编程实现，提高了算法的准确性和可靠性。

公开(公告)号：CN104960520A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510420221.9

申请日：2015-07-16

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 段建民 ,  杨晨 ,  夏天

IPC: B60W30/10 ,  B60W40/10

CPC classification number: B60W30/10 ,  B60W40/10 ,  B60W2520/06 ,  B60W2520/10 ,  B60W2540/18 ,  B60W2710/207

Abstract: 基于Pure Pursuit算法的预瞄点确定方法，首先将GPS提供的空间大地坐标信息转换为UTM直角坐标信息，并将该信息传送给决策上位机；然后根据车辆当前行驶车速确定预瞄距离；以GPS提供的车辆当前位置为圆心，预瞄距离为半径画圆，根据该圆与期望路径的位置关系，确定预瞄点；利用Pure Pursuit算法，计算出智能车转角控制量，从而实现车辆对规划路径的跟踪。本发明针对无人驾驶智能车在规定路径上的跟踪实验，通过判断规划路径与预瞄圆的位置关系，确定预瞄点，筛选算法新颖，且计算量小、运算效率高、易于计算机编程实现，提高了算法的准确性和可靠性。