公开(公告)号：CN109830886A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910209417.1

申请日：2019-03-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  张成龙 ,  杨悦 ,  吴宇辰

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  H01S5/30 ,  H01S5/10 ,  H01S5/04 ,  H01S5/042

Abstract: 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法，属于光学技术领域。包括半导体衬底，半导体增益谐振腔，绝缘介质层(3)，金属包裹层，在半导体衬底上有半导体增益谐振腔阵列，即在半导体衬底和半导体增益谐振腔阵列的表面设有绝缘介质层，绝缘介质层将每个半导体增益谐振腔包裹，同时绝缘介质层还保持半导体增益谐振腔阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔-绝缘介质层阵列，在绝缘介质层上设有金属包裹层，同时金属包裹层还填充了绝缘介质层上的阵列图形。本发明相邻谐振腔之间的表面等离子模式(倏逝波)相互之间可以进行互相耦合，从而提高了纳米激光器的性能，并实现超高密度等离子体激光器面阵输出。

公开(公告)号：CN109830886B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201910209417.1

申请日：2019-03-19

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 关宝璐 ,  张成龙 ,  杨悦 ,  吴宇辰

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  H01S5/30 ,  H01S5/10 ,  H01S5/04 ,  H01S5/042

Abstract: 一种多腔耦合增强的纳米等离子体激光器阵列及其制备方法，属于光学技术领域。包括半导体衬底，半导体增益谐振腔，绝缘介质层(3)，金属包裹层，在半导体衬底上有半导体增益谐振腔阵列，即在半导体衬底和半导体增益谐振腔阵列的表面设有绝缘介质层，绝缘介质层将每个半导体增益谐振腔包裹，同时绝缘介质层还保持半导体增益谐振腔阵列的图形，即形成半导体增益谐振腔‑绝缘介质层阵列，在绝缘介质层上设有金属包裹层，同时金属包裹层还填充了绝缘介质层上的阵列图形。本发明相邻谐振腔之间的表面等离子模式(倏逝波)相互之间可以进行互相耦合，从而提高了纳米激光器的性能，并实现超高密度等离子体激光器面阵输出。