公开(公告)号：CN113861985A

公开(公告)日：2021-12-31

申请号：CN202111365400.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  刘泽慷 ,  张永哲 ,  王鹏

IPC: C09K11/89 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 一种高产原位钝化中红外HgTe胶体量子点制备方法。属于胶体量子点合成领域。其中，合成过程采用热注射法，含卤素元素的HgI2作为Hg源的反应物，在反应时I‑原位生长在胶体量子点表面，在钝化表面的同时，起到调节掺杂的目的，达到p型掺杂效果。并且使用TMSTe作为Te源，由于其具有很高的反应活性，与Hg前驱体发生充分反应，不会与Hg形成络合物限制HgTe的产率。

公开(公告)号：CN113861985B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202111365400.9

申请日：2021-11-17

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 严辉 ,  刘泽慷 ,  张永哲 ,  王鹏

IPC: C09K11/89 ,  B82Y30/00 ,  B82Y20/00

Abstract: 一种高产原位钝化中红外HgTe胶体量子点制备方法。属于胶体量子点合成领域。其中，合成过程采用热注射法，含卤素元素的HgI2作为Hg源的反应物，在反应时I‑原位生长在胶体量子点表面，在钝化表面的同时，起到调节掺杂的目的，达到p型掺杂效果。并且使用TMSTe作为Te源，由于其具有很高的反应活性，与Hg前驱体发生充分反应，不会与Hg形成络合物限制HgTe的产率。