一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110335900A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910372272.7

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法,属于光电探测器技术领域。该光电探测器的结构从下至上依次是:玻璃作为器件的衬底;垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层;氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层;垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。由于垂直石墨烯具有宽光谱响应特性,使得该探测器的工作波段从可见光到红外波段,本发明设计的氧化铟锡薄膜层可有效的传输光生载流子,抑制缺陷影响,提升器件的输出光电流。另外,该探测器拥有较高的光吸收率和光响应度,在较低的偏压下就可以进行工作,工艺制备简单可重复,有效提高探测器的探测效率和成品率。

    一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110335900B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201910372272.7

    申请日:2019-05-06

    Abstract: 一种氧化铟锡/垂直石墨烯光电探测器复合结构及其制备方法,属于光电探测器技术领域。该光电探测器的结构从下至上依次是:玻璃作为器件的衬底;垂直石墨烯作为器件的光吸收层和电子传输层;氧化铟锡薄膜作为透明电流辅助扩散层;垂直石墨烯两侧是钛/金电极连接外部电源。由于垂直石墨烯具有宽光谱响应特性,使得该探测器的工作波段从可见光到红外波段,本发明设计的氧化铟锡薄膜层可有效的传输光生载流子,抑制缺陷影响,提升器件的输出光电流。另外,该探测器拥有较高的光吸收率和光响应度,在较低的偏压下就可以进行工作,工艺制备简单可重复,有效提高探测器的探测效率和成品率。

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