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发明公开
一种避免泵浦光漂白被动调Q晶体的微片激光器无效

公开(公告)号：CN111769434A

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN202010541050.6

申请日：2020-06-15

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 李强 , 冯海洋 , 惠勇凌 , 雷訇 , 朱占达

IPC: H01S3/11 , H01S3/16 , H01S3/06

Abstract: 本发明公开了一种避免泵浦光漂白被动调Q晶体的微片激光器，包括泵浦源、泵浦耦合系统、增益介质、抑制ASE晶体、被动调Q晶体、泵浦光和激光分离结构。在微片激光器一侧切45°角结构，泵浦光和激光通过此面的膜被分离开，避免了泵浦光对被动调Q晶体的漂白。通过热键和技术，各晶体有效牢固地结合，可提高激光器的稳定性，利于实现微片激光器的小型化。且键合后的晶体结合界面稳定，有利于晶体散热。本发明广泛应用于其他测距用的固体激光器中，易于实现小型化、大能量、窄脉宽的目标，易于实现工程应用。本发明完全避免泵浦光进入可饱和吸收调Q晶体中，从而避免了泵浦漂白问题，提高振荡激光输出的单脉冲能量，减小脉冲宽度。

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