公开(公告)号：CN109884493A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910259948.1

申请日：2019-04-02

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  任源 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  刘京京 ,  潘俊 ,  王小萌 ,  何箫梦 ,  于胜

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种适用于隧穿双栅场效应晶体管(T-FinFET)的特征漏电压提取方法，包括：选择三点不同漏-源电压Vds，将栅-源电压Vgs从+0.5伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids-Vgs，确定器件正常工作；选择三点不同Vgs，将Vds从0伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的输出电流特性曲线Ids-Vds；在线性区内选二点连接为直线，获取对应直线在漏电压轴上的截距，从而得到不同栅电压下T-FinFET的线性区和指数区的交叉转折点电压，得到输出电导特性曲线Gout-Vds，再在线性区内选二点连接为直线，从而提取不同栅电压下T-FinFET的线性区和饱和区的交叉转折点电压。这种方法实现简单，在低Vgs和Vds下对器件结构和工艺不敏感，能抑制小尺寸器件引起的短沟效应和超薄体效应。

公开(公告)号：CN110854183A

公开(公告)日：2020-02-28

申请号：CN201910387293.6

申请日：2019-05-10

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  任源 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  刘京京 ,  潘俊 ,  王小萌 ,  何箫梦

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 本发明涉及一种复合沟道的隧穿双栅场效应器件，包括源区、复合沟道区、漏区、栅电极、栅介质层和衬底，衬底位于源区、复合沟道区、漏区、栅电极、栅介质层的下方，复合沟道区的两端设有源区和漏区，复合沟道区的下方为衬底，复合沟道区的外侧被栅介质层包裹，栅介质层的外侧为栅电极；复合沟道区由两段同类且掺杂的部分构成，复合沟道中靠近源区的为第一沟道区LI，靠近漏区的为第二沟道区L2；源区和漏区分布在复合沟道区两端，重掺杂后与金属接触形成器件的两端电接触。本发明的有益效果：通过在隧穿双栅场效应器件中设由两段同类且掺杂的部分构成的复合沟道区，从而提高T-FinFET类型器件的开态电流，最终达到驱动芯片工作的目的。

公开(公告)号：CN110837721A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201911029265.3

申请日：2019-10-28

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  任源 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  刘京京 ,  潘俊 ,  王小萌 ,  何箫梦

IPC: G06F30/367 ,  G06N3/04 ,  G06N3/08

Abstract: 本发明涉及一种基于神经网络算法的隧穿双栅晶体管特性模拟方法，特别地是采用三层前向结构的神经网络和对应算法来模拟隧穿双栅晶体管特性，它包括：选择的神经网络为三层前向结构，隐含层的第一层神经元数目设定为16个，隐含层的第二层神经元数目为8个，输出层为第三层，神经元数目为1个，所采用的传输函数为线性函数；所有神经元采用反向传播算法，神经网络的输入个数为6，输入一组纳米隧穿双栅晶体管测量数据训练神经网络，经过训练后即可得到训练成功的神经网络。该模拟方法得到的神经网络输出数据与相应的测量数据相对误差一般在百分之一之内，大部分能达到千分之一。结果标明：神经网络模型方法比BSIM模型更准确，效率更高。

公开(公告)号：CN109884493B

公开(公告)日：2021-07-09

申请号：CN201910259948.1

申请日：2019-04-02

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  任源 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  刘京京 ,  潘俊 ,  王小萌 ,  何箫梦 ,  于胜

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种适用于隧穿双栅场效应晶体管T‑FinFET的特征漏电压提取方法，包括：选择三点不同漏‑源电压Vds，将栅‑源电压Vgs从+0.5伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的转移电流特性曲线Ids‑Vgs，确定器件正常工作；选择三点不同Vgs，将Vds从0伏扫描到+2.0V，测试出场效应晶体管的输出电流特性曲线Ids‑Vds；在线性区内选二点连接为直线，获取对应直线在漏电压轴上的截距，从而得到不同栅电压下T‑FinFET的线性区和指数区的交叉转折点电压，得到输出电导特性曲线Gout‑Vds，再在线性区内选二点连接为直线，从而提取不同栅电压下T‑FinFET的线性区和饱和区的交叉转折点电压。这种方法实现简单，在低Vgs和Vds下对器件结构和工艺不敏感，能抑制小尺寸器件引起的短沟效应和超薄体效应。

公开(公告)号：CN110797408A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201911028127.3

申请日：2019-10-28

Applicant: 北京大学深圳研究院

Inventor： 何进 ,  任源 ,  李春来 ,  胡国庆 ,  刘京京 ,  潘俊 ,  王小萌 ,  何箫梦 ,  于胜

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种动态阈值隧穿场效应双栅器件。由控制栅电极、独立偏置栅电极、源区、漏区、沟道区和控制栅介质层组成；其中，所述独立偏置栅电极位于所述阈值隧穿场效应双栅器件底部的独立偏置栅介质层下，由独立偏置栅介质层与沟道区隔离；所述源区和漏区分别位于所述沟道区的两侧，并被控制栅介质将其与控制栅隔离。本发明涉及的器件可独立工作在栅控条件下，为低功耗电路设计提供一种选择方案，而且对阈值电压的调节灵敏度大于传统T-FinFET器件和SOI隧穿器件。此外，其电学性能优于常规T-FinFET器件和SOI隧穿器件。通过独立偏置栅的单独电压调制，可以将栅长缩小到20纳米及以下，并保持比较理想的器件性能。