互阻放大器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100559705C

    公开(公告)日:2009-11-11

    申请号:CN200610061686.0

    申请日:2006-07-12

    Abstract: 一种互阻放大器,用于将电流信号转化成电压信号,其单级放大电路包括:第一晶体管和第二晶体管,该第一、第二晶体管的栅极连接作为输入端用以输入信号,其漏极互相连接,该第一晶体管的源极接地,该第二晶体管的源极与第一电源连接,其中,该单级放大电路还包括:第三晶体管和第四晶体管,该第三晶体管的栅极和源极、第四晶体管的源极与第二晶体管的源极连接,该第三、第四晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接作为输出端用以输出信号,该第四晶体管的栅极接地,当与该互阻放大器连接的光电二极管将光信号转化成电流信号输入至该互阻放大器时,该第三、第四晶体管可通过增加第一晶体管的电流来增加光电二极管的光电转换效率。本发明具有较高的带宽,不受外部环境因素影响且具有较高的稳定度。

    互阻放大器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101106359A

    公开(公告)日:2008-01-16

    申请号:CN200610061686.0

    申请日:2006-07-12

    Abstract: 一种互阻放大器,用于将电流信号转化成电压信号,其单级放大电路包括:第一晶体管和第二晶体管,该第一、第二晶体管的栅极连接作为输入端用以输入信号,其漏极互相连接,该第一晶体管的源极接地,该第二晶体管的源极与第一电源连接,其中,该单级放大电路还包括:第三晶体管和第四晶体管,该第三晶体管的栅极和源极、第四晶体管的源极与第二晶体管的源极连接,该第三、第四晶体管的漏极与第二晶体管的漏极连接作为输出端用以输出信号,该第四晶体管的栅极接地,当与该互阻放大器连接的光电二极管将光信号转化成电流信号输入至该互阻放大器时,该第三、第四晶体管可通过增加第一晶体管的电流来增加光电二极管的光电转换效率。本发明具有较高的带宽,不受外部环境因素影响且具有较高的稳定度。

    回声消除器及回声消除方法

    公开(公告)号:CN101043560A

    公开(公告)日:2007-09-26

    申请号:CN200610060031.1

    申请日:2006-03-22

    Abstract: 本发明涉及一种回声消除器及回声消除方法,该回声消除器包括:用于将来自网络端的数据流解码成远端语音信号并提取短时激励信号以及线性预测编码系数的线性预测解码器;用于接收线性预测编码系数和误差信号,并对误差信号进行去相关处理,以产生去相关的误差信号的去相关滤波器;用于接收远端语音信号、短时激励信号和去相关的误差信号,生成估计回声的自适应滤波器;用于接收近端期望信号和和估计回声并从近端期望信号中减去回声信号,生成误差信号的减法器。通过与LPC声码器的结合,所需的去相关语音信号和对误差信号进行去相关的滤波器系数可直接从声码器中提取和更新,显著降低了算法的计算量,加快了收敛速度。

    去块滤波器
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101076124B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200610060613.X

    申请日:2006-05-18

    Abstract: 本发明涉及一种视频编码用去块滤波器,该去块滤波器基于交错滤波顺序,其采用两个一维滤波单元配合宏块数据存储单元、上部数据存储单元、左边数据存储单元以及中间数据存储单元,大幅度的提高了滤波速度,通过选择合适的滤波顺序从而很好利用了数据之间的依赖性,该滤波器所需的每个块的数据只从外部读取一次,减少了外部SRAM/SFDRAM的访问,降低了滤波器操作的复杂度。同时,在存储子系统和数据路径中采用了并行存储机制,以同时支持垂直和水平两个方向的并行访问,引入这样的存储结构后,不再需要传统的转置电路。

    去块滤波器
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101076124A

    公开(公告)日:2007-11-21

    申请号:CN200610060613.X

    申请日:2006-05-18

    Abstract: 本发明涉及一种视频编码用去块滤波器,该去块滤波器基于交错滤波顺序,其采用两个一维滤波单元配合宏块数据存储单元、上部数据存储单元、左边数据存储单元以及中间数据存储单元,大幅度的提高了滤波速度,通过选择合适的滤波顺序从而很好利用了数据之间的依赖性,该滤波器所需的每个块的数据只从外部读取一次,减少了外部SRAM/SDRAM的访问,降低了滤波器操作的复杂度。同时,在存储子系统和数据路径中采用了并行存储机制,以同时支持垂直和水平两个方向的并行访问,引入这样的存储结构后,不再需要传统的转置电路。

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