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公开(公告)号：CN116390517B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310415619.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 北京高德品创科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院 , 联想万像(深圳)科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法，属于电致发光技术领域。本发明的钙钛矿发光晶体管包括：衬底、栅极、介电层、沟道层、源电极、钙钛矿发光功能层以及漏电极；其中，衬底、栅极、介电层、沟道层层叠设置，源电极与钙钛矿发光功能层相邻设置且位于沟道层背离介电层的一侧，漏电极设置在钙钛矿发光功能层背离沟道层的一侧；钙钛矿发光功能层包括层叠设置的空穴传输层、钙钛矿发光层以及电子传输层。本发明利用钙钛矿材料作为发光层材料，形成集开关和发光功能于一体的钙钛矿发光晶体管器件，这种独特的器件结构是实现以集成化、高分辨率、节能化和多功能化为特征的下一代显示技术的最佳基元。
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公开(公告)号：CN116390517A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310415619.8
申请日：2023-04-18
Applicant: 北京高德品创科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院 , 联想万像(深圳)科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种钙钛矿发光晶体管及其制备方法，属于电致发光技术领域。本发明的钙钛矿发光晶体管包括：衬底、栅极、介电层、沟道层、源电极、钙钛矿发光功能层以及漏电极；其中，衬底、栅极、介电层、沟道层层叠设置，源电极与钙钛矿发光功能层相邻设置且位于沟道层背离介电层的一侧，漏电极设置在钙钛矿发光功能层背离沟道层的一侧；钙钛矿发光功能层包括层叠设置的空穴传输层、钙钛矿发光层以及电子传输层。本发明利用钙钛矿材料作为发光层材料，形成集开关和发光功能于一体的钙钛矿发光晶体管器件，这种独特的器件结构是实现以集成化、高分辨率、节能化和多功能化为特征的下一代显示技术的最佳基元。
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公开(公告)号：CN116367557A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202310414205.3
申请日：2023-04-18
Applicant: 北京高德品创科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院 , 联想万像(深圳)科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种基于富勒烯衍生物/Sn掺杂CdO纳米团簇异质结的光电转化器件及其制备方法，属于半导体光电器件技术领域。本发明的光电转化器件包括：依次层叠的导电基底、底电极、电子传输层、光敏层、空穴传输层、顶电极；其中，所述光敏层为体异质结光敏层，其材料为富勒烯衍生物/Sn掺杂CdO纳米团簇。本发明通过选择具有强红外吸收和紫外吸收的光敏层材料，得到可见光可透过的光电转化器件，实现器件对自然光中的红外光和紫外光成分的有效利用，实现透明器件的多功能化。
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公开(公告)号：CN119053158A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202310620509.5
申请日：2023-05-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有机紫外光电探测器及其制备方法与相关设备，有机紫外光电探测器包括阳极、阴极和设置于阳极与阴极之间的体异质结光敏层，阳极与体异质结光敏层之间的势垒、阴极与体异质结光敏层之间的势垒均大于等于2eV；体异质结光敏层包括至少一种p型有机半导体和至少一种n型有机半导体，p型有机半导体和所述n型有机半导体的禁带宽度均大于等于3.2eV；p型有机半导体的最高占据分子能级与n型有机半导体的最低未占据分子能级的差值大于等于1.3eV。本发明提供的有机紫外光电探测器暗态下可有效地阻挡异电荷注入，保证了高光电流的同时有效地抑制了暗电流，使暗电流低于1nA/cm2。
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公开(公告)号：CN118870847A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310487223.4
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H10K50/115 , H10K50/18 , H10K71/16
Abstract: 本发明公开了一种基于垂直结构的发光晶体管，具体涉及一种基于垂直结构的具有存储功能的发光晶体管器件，包括衬底、栅极、铁电绝缘层、源极、空穴传输层、发光层、电子传输层、漏极。与传统的发光晶体管相比，本发明提供的一种具有存储功能的发光晶体管器件可以简化显示技术中的像素电路结构，具有更高的集成度和更简单的工艺制程，有望降低显示面板的制造成本；同时，本发明提供的发光晶体管采用垂直结构构型，与平面结构型的发光晶体管相比，提高了像素开口率，具有很高的应用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116144218B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310408210.3
申请日：2023-04-17
Applicant: 北京高德品创科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院 , 联想万像(深圳)科技有限公司
IPC: C09D11/50
Abstract: 本发明提供一种用于保密和防伪的红外隐形墨水及其制备方法，属于有机近红外吸收油墨制备技术领域。本发明的红外隐形墨水为二氨基二萘联吡啶甲基衍生BODIPY配合物，结构式如下：。本发明的红外隐形墨水具有良好的亲水性和光稳定性，兼具红外吸收及红外荧光，且不具有毒性，对环境友好，便于推广使用；另外，可基于二氨基二萘联吡啶甲基衍生BODIPY配合物在可见光下不显色来对信息进行保护，从而达到信息保密的目的。
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公开(公告)号：CN116144219A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310408211.8
申请日：2023-04-17
Applicant: 北京高德品创科技有限公司 , 北京大学深圳研究生院 , 联想万像(深圳)科技有限公司
IPC: C09D11/50
Abstract: 本发明提出一种热致变色防伪墨水及其制备方法、应用，属于热致变色材料技术领域。本发明的热致变色防伪墨水包括：有机热致变色组分、表面活性剂、有机溶剂和去离子水；其中，有机热致变色组分为螺吡喃结构类化合物，其结构式如下：；其中，R1选自C6‑C10的烷基链；R2选自苯基、萘基、蒽基、苯并呋喃以及苯并噻吩中的任意一种。本发明的螺吡喃结构类化合物能够随着温度变化而发生结构变色，进一步导致化合物变色，实现墨水的防伪效果。
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公开(公告)号：CN105609637B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201610125626.4
申请日：2016-03-04
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开沉积氧化物薄膜的方法、有机场效应晶体管及其制备方法。沉积方法包括步骤：A、将待处理的有机半导体装入气相原子层沉积装置的真空反应腔体；B、对真空反应腔体进行抽真空，维持真空反应腔体跟外部空气环境的有效隔离，并维持真空反应腔体的内部温度为20~100℃；C、向真空反应腔体中通入第一种气相前驱体，使其吸附在材料表面；D、通入载气将真空反应腔体中多余的第一种气相前驱体清除；E、向真空反应腔体中通入第二种气相前驱体，使之与吸附在材料表面的第一种气相前驱体反应，形成氧化物薄膜；F、通入载气将真空反应腔体中多余的第二种气相前驱体清除；重复步骤C至F直到获得设定厚度或结构的氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN116528638A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310351160.X
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开一种有源层的制备方法、窄带近红外光电二极管及其制备方法，有源层制备方法包括步骤：将施主材料和受主材料加入到与水不互溶的第一溶剂中，形成第一混合液，第一溶剂的沸点小于等于180℃；将第一混合液施加到第一水面上进行液面分子自组装，将形成的第一薄膜转移到待制备有源层的基底上，进行第一次退火后，得到体异质结有源层。本发明利用液面分子自组装法制备高质量的有源层，将第一混合液施加到第一水面上，第一混合液由于表面张力在第一水面上向四周扩散，同时第一溶剂挥发，当扩散和挥发均完成时自组装结束，形成第一薄膜。本发明采用液面分子自组装法制备有源层结晶性好、质量高、且不会对待制备有源层的基底造成破坏。
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公开(公告)号：CN118946164A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202310518839.3
申请日：2023-05-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种有机异质结晶体管光电探测器及其制备方法，自下而上依次包括基底，栅电极，介电层，非富勒烯光敏层，导电沟道层，电荷注入层，所述电荷注入层上的部分区域还设置有源电极和漏电极。本发明通过选用非富勒烯受体分子作为光敏层，实现了极低的暗电流，同时在非富勒烯受体分子与导电沟道层之间会形成层异质结构，实现了关态暗电流的有效抑制，进一步实现了器件的极低暗电流和高的光响应源漏电流，使得光探测器的光探测灵敏度和探测率等综合性能显著提升。
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