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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114196980A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111498467.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25B11/053 , C25B11/067 , C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25D3/12 , C25D7/00 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C28/00
Abstract: 一种复合材料及其复合基底，复合材料包括依次沉积的光反射层、光吸收层、保护层。光反射层可以帮助上层的金属层进一步吸收红外光，光吸收层可以通过表面等离子体效应实现对光的宽谱吸收与转化，保护层具有高光透过率，利于红外的穿透。该复合材料显著增强了对红外区域的光吸收。
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公开(公告)号：CN110194438B
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201910370842.9
申请日：2019-05-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C01B11/22
Abstract: 本发明提供了一种碘酸氧铋纳米片材料的制备方法，包括如下步骤：提供碘氧化铋纳米片材料；将所述碘氧化铋纳米片材料置于臭氧气氛中反应3‑20小时；所述臭氧气氛中臭氧含量为5％‑80％。本发明反应过程中，碘氧化铋晶体中的I离子被氧化为IO3‑离子，碘酸氧铋纳米片形貌保持不变，从而获得了碘酸氧铋纳米片材料。本发明采用气相氧化法，由于气体的特殊性，反应后无需分离工序，直接可通过碘氧化铋纳米片材料制备得到碘酸氧铋纳米片材料，获得尺寸均一、产品结构规整的碘酸氧铋纳米片材料；反应气体可以重复利用，提高利用率；制备时间短、反应温度低，具有更好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN110194438A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201910370842.9
申请日：2019-05-06
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C01B11/22
Abstract: 本发明提供了一种碘酸氧铋纳米片材料的制备方法，包括如下步骤：提供碘氧化铋纳米片材料；将所述碘氧化铋纳米片材料置于臭氧气氛中反应3-20小时；所述臭氧气氛中臭氧含量为5％-80％。本发明反应过程中，碘氧化铋晶体中的I离子被氧化为IO3-离子，碘酸氧铋纳米片形貌保持不变，从而获得了碘酸氧铋纳米片材料。本发明采用气相氧化法，由于气体的特殊性，反应后无需分离工序，直接可通过碘氧化铋纳米片材料制备得到碘酸氧铋纳米片材料，获得尺寸均一、产品结构规整的碘酸氧铋纳米片材料；反应气体可以重复利用，提高利用率；制备时间短、反应温度低，具有更好的工业化应用前景。
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公开(公告)号：CN116590686A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310594081.1
申请日：2023-05-25
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种硫硒化锑薄膜的制备方法，包括：将硒化锑置于反应装置内的高温区，将升华硫或者有机硫源置于所述反应装置内的低温区，将待沉积基底设于所述反应装置中；对所述反应装置抽真空；将低温区的温度升高至第一预设温度，将高温区的温度升高至第二预设温度，所述第二预设温度大于所述第一预设温度，保温、冷却后在所述待沉积基底上制得硫硒化锑薄膜。该硫硒化锑薄膜的制备方法利用了气相沉积快速生长的特点，可以实现硫硒化锑薄膜的(221)取向的择优生长，硫源采用升华硫或者有机硫源，降低了原材料的成本，从而实现了低成本的制备高取向度的硫硒化锑薄膜。
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公开(公告)号：CN114196980B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111498467.X
申请日：2021-12-09
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: C25B11/053 , C25B11/067 , C25B11/091 , C25B1/04 , C25B1/55 , C25D3/12 , C25D7/00 , C23C14/35 , C23C14/08 , C23C14/18 , C23C14/24 , C23C28/00
Abstract: 一种复合材料及其复合基底，复合材料包括依次沉积的光反射层、光吸收层、保护层。光反射层可以帮助上层的金属层进一步吸收红外光，光吸收层可以通过表面等离子体效应实现对光的宽谱吸收与转化，保护层具有高光透过率，利于红外的穿透。该复合材料显著增强了对红外区域的光吸收。
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