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公开(公告)号：CN116184696A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310039335.3
申请日：2023-01-12
Applicant: 北京大学深圳研究生院
Abstract: 本发明的提供了一种可调电控和全光双控光电调制器及控制方法，实现了全光和电调制双调制下的相位调制器和幅度；调制器的硅单槽结构表面采用氧化镉层，明显提高了调制器的消光比，并且具有较大的相位调制深度和调制范围；可以通过外加电压或泵浦光光照射的方式调节结构的插入损耗，从而调节不同波长的消光比，因此可以根据实际情况进行相应的调节；该调制器工作在通信波长，具有广阔的应用前景；调制器的制作工艺简单，且与现有CMOS工艺兼容，能够利用集成工艺规模化生产，降低了生产成本；具有纳米级的集成尺寸，方便技术人员进行集成化的应用；将一个金属电极设置在氧化镉薄层上，另一个电极设置在硅衬底上，简化了器件结构。
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