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公开(公告)号:CN105140319A
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201510351099.4
申请日:2015-06-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L31/035209 , H01L31/18 , H01L31/1828 , H01L51/4226
Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池,包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层,隧穿整流层设于前电极层和半导体层间,或者设于半导体层和背电极层间,或者同时设于前电极层和半导体层间,以及半导体层和背电极层间;隧穿整流层为单层或多层结构,隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池,在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层,利用隧穿整流层对电子进行整流,从而有效的避免了载流子的复合,提高太阳能电池的短路电流以及开路电压,进而提高光电转化效率。
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公开(公告)号:CN105140319B
公开(公告)日:2017-12-12
申请号:CN201510351099.4
申请日:2015-06-23
Applicant: 北京大学深圳研究生院
IPC: H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L51/42 , H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本申请公开了一种薄膜太阳能电池及其制备方法。本申请的薄膜太阳能电池,包括前电极层、半导体层、背电极层和隧穿整流层,隧穿整流层设于前电极层和半导体层间,或者设于半导体层和背电极层间,或者同时设于前电极层和半导体层间,以及半导体层和背电极层间;隧穿整流层为单层或多层结构,隧穿整流层的材质为金属氧化物、金属氮化物、金属硫化物、金属氟化物中的至少一种。本申请的薄膜太阳能电池,在前电极层和/或背电极层的表面设置隧穿整流层,利用隧穿整流层对电子进行整流,从而有效的避免了载流子的复合,提高太阳能电池的短路电流以及开路电压,进而提高光电转化效率。
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