公开(公告)号：CN116504642A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310494867.6

申请日：2023-05-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 陆磊 ,  孙杰 ,  韩子娟 ,  李继麟 ,  张盛东 ,  王新炜 ,  李潇 ,  庄昌辉

IPC: H01L21/34 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

Abstract: 一种有源层制造方法以及半导体器件，有源层制造方法，包括：在衬底或在栅介质层上形成有源层，有源层为异质结，异质结包括第一半导体层以及第二半导体层；进行激光退火处理，第一半导体层在激光退火处理之前为非晶结构，在激光退火处理之后转变为多晶结构；第二半导体层始终为非晶结构，第一半导体层为金属氧化物半导体材料。本申请可以提高半导体器件的载流子迁移率。