公开(公告)号：CN110923650A

公开(公告)日：2020-03-27

申请号：CN201911228670.8

申请日：2019-12-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 吴忠振 ,  刘亮亮 ,  吴忠灿 ,  唐伟 ,  李晓渊

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/48 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开一种DLC涂层及其制备方法。本发明中，在高能脉冲偏压下，实现了沉积与注入结合的涂层生长方法，从而实现了涂层应力的控制。采用该方法制备DLC涂层，大幅降低了DLC涂层的应力，极大提升了DLC涂层的结合力。

公开(公告)号：CN110923650B

公开(公告)日：2022-06-07

申请号：CN201911228670.8

申请日：2019-12-04

Applicant: 北京大学深圳研究生院

Inventor： 吴忠振 ,  刘亮亮 ,  吴忠灿 ,  唐伟 ,  李晓渊

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/14 ,  C23C14/48 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开一种DLC涂层及其制备方法。本发明中，在高能脉冲偏压下，实现了沉积与注入结合的涂层生长方法，从而实现了涂层应力的控制。采用该方法制备DLC涂层，大幅降低了DLC涂层的应力，极大提升了DLC涂层的结合力。