导电碳浆、导电电极和光电器件

    公开(公告)号:CN111739677B

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202010557510.4

    申请日:2020-06-18

    Inventor: 杨世和 刘通发

    Abstract: 本发明公开了一种导电碳浆,按质量计,包括溶剂、15~55%碳材料、3~20%分散剂、0.3~10%添加剂,所述添加剂为正硅酸四乙酯和异丙醇铝中的至少一种。通过在碳材料中添加有正硅酸四乙酯和/或异丙醇铝,形成的导电碳浆能够钝化钙钛矿表面缺陷,减少缺陷态密度,从而提高制得的太阳能电池的光电性能。

    一种制备大面积钙钛矿层的方法和钙钛矿太阳能电池

    公开(公告)号:CN110718632A

    公开(公告)日:2020-01-21

    申请号:CN201910824566.9

    申请日:2019-09-02

    Abstract: 本发明公开了一种制备大面积钙钛矿层的方法和钙钛矿太阳能电池,该方法包括以下步骤:在基体上涂覆钙钛矿前驱体溶液形成钙钛矿前驱体层;加入混合反溶剂,退火处理制得钙钛矿层;混合反溶剂为A溶剂和B溶剂混合形成的混合溶剂,A溶剂选自甲苯、氯苯、二氯甲烷、乙酸乙酯、苯甲醚、乙醚中的任一种,B溶剂选自甲苯、氯苯、二氯甲烷、乙酸乙酯、苯甲醚、3-6个碳原子的一元醇中的任一种,A溶剂与B溶剂不同,A溶剂占混合反溶剂的体积比为10%-90%。本发明利用混合反溶剂减少了钙钛矿前驱液结晶过程的过饱和度,使得结晶成核位点均匀生成,最终得到成膜均一、晶粒尺寸大的钙钛矿薄膜,在制备大面积钙钛矿器件领域具有良好的应用前景。

    半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法

    公开(公告)号:CN112490369A

    公开(公告)日:2021-03-12

    申请号:CN202011292188.3

    申请日:2020-11-18

    Inventor: 杨世和 刘通发

    Abstract: 本发明公开了一种半导体材料的制备方法、钙钛矿半导体器件及其制备方法,半导体材料的制备方法包括以下步骤:沉积羧酸盐溶液,羧酸盐溶液选自羧酸铅溶液、羧酸锡溶液中的至少一种;沉积有机胺盐/脒盐溶液;在50℃~160℃进行退火。本发明使用羧酸盐和有机胺盐/脒盐作为原料,所用的溶剂可以不含DMF、DMSO等强极性且有毒溶剂,适合在极性溶剂敏感和极性溶剂不敏感的各种衬底上生长钙钛矿,并且对环境友好。本发明还利用羧酸盐溶液和有机胺盐/脒盐溶液作为钙钛矿前驱体材料,在碳电极中进行结晶,使得与钙钛矿层直接接触的碳电极材料被钙钛矿材料包裹,造成“钙钛矿/碳”异质结的接触面积增加,以提升器件光电转换性能和稳定性。

    导电碳浆、导电电极和光电器件

    公开(公告)号:CN111739677A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010557510.4

    申请日:2020-06-18

    Inventor: 杨世和 刘通发

    Abstract: 本发明公开了一种导电碳浆,按质量计,包括溶剂、15~55%碳材料、3~20%分散剂、0.3~10%添加剂,所述添加剂为正硅酸四乙酯和异丙醇铝中的至少一种。通过在碳材料中添加有正硅酸四乙酯和/或异丙醇铝,形成的导电碳浆能够钝化钙钛矿表面缺陷,减少缺陷态密度,从而提高制得的太阳能电池的光电性能。

    碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池

    公开(公告)号:CN110473973A

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201910645933.9

    申请日:2019-07-17

    Abstract: 本发明公开了一种碳基钙钛矿太阳能电池的界面后处理方法和太阳能电池,碳基钙钛矿太阳能电池包括基底、透明导电电极、电子传输层、钙钛矿层和碳电极,或者包括基底、透明导电电极、空穴阻挡层、多孔电子传输层、多孔绝缘间隔层和多孔碳电极,其中均填充有钙钛矿材料,包括以下步骤:取界面后处理材料进行界面后处理,界面后处理材料包括有机酸盐、有机胺、极性溶剂中的任一种,有机酸盐中阴离子包括脂肪酸或芳香酸形成的阴离子,有机胺为R-NH2或NH2-R-NH2,R=CnH2n+1,n=1~18;极性溶剂为1~6个碳原子的脂肪醇或者1~6个碳原子的脂肪腈。利用本发明的界面后处理方法能够提高太阳能电池的性能。

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