公开(公告)号：CN105334573A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201410279849.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 北京三星通信技术研究有限公司 ,  北京大学 ,  三星电子株式会社

Inventor： 张家森 ,  胡闯 ,  徐亮 ,  金勇 ,  朴硏相

IPC: G02B6/122

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波导，包括：金属衬底，以及位于所述衬底上的且相互平行的至少2个金属墙；所述金属墙之间形成沟槽，使得表面等离激元在所述沟槽底部的金属衬底表面沿着所述沟槽的延伸方向传播。本发明中，由于金属衬底表面金属墙的存在进而能够在金属墙之间的沟槽中形成金属墙到金属墙的横向局域性的电磁场，限制表面等离激元向金属墙外的传播，使得表面等离激元仅能够在两个金属墙之间沿着金属衬底和介质层的界面上沿着平行于金属壁的方向传播。本发明中，由于金属墙对波导中的表面等离激元有着很好的局域效果，即使两个波导间隔很小也可以避免波导间的串扰。本发明实现了表面等离激元的小半径大角度转弯传播以及在光分束器中的应用。

公开(公告)号：CN103185973B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310076320.0

申请日：2013-03-11

Applicant: 北京大学 ,  北京三星通信技术研究有限公司

Inventor： 张家森 ,  胡闯 ,  朴硏相 ,  徐亮

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波长选择器件。本发明的波长选择器件包括：衬底及金属柱；其中，衬底为金属；金属柱垂直设置在衬底上；金属柱的数量为两根以上；金属柱的直径d在100nm～2μm之间；金属柱的高度h≥50nm；表面等离激元沿着衬底的表面传播，并在金属柱附近形成局域增强的电磁场，由于单根金属柱本身的特性和不同金属柱之间的共振而形成对不同波长选择性的反射或透射。本发明的这种结构不仅对表面等离激元具有良好的波长选择性的反射、透射和散射的特性，而且结构简单，尺度小，成本低，并具有利于集成的独特优势。

公开(公告)号：CN103185973A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201310076320.0

申请日：2013-03-11

Applicant: 北京大学 ,  北京三星通信技术研究有限公司

Inventor： 张家森 ,  胡闯 ,  朴硏相 ,  徐亮

IPC: G02F1/01

Abstract: 本发明公开了一种表面等离激元波长选择器件。本发明的波长选择器件包括：衬底及金属柱；其中，衬底为金属；金属柱垂直设置在衬底上；金属柱的数量为两根以上；金属柱的直径d在100nm～2μm之间；金属柱的高度h≥50nm；表面等离激元沿着衬底的表面传播，并在金属柱附近形成局域增强的电磁场，由于单根金属柱本身的特性和不同金属柱之间的共振而形成对不同波长选择性的反射或透射。本发明的这种结构不仅对表面等离激元具有良好的波长选择性的反射、透射和散射的特性，而且结构简单，尺度小，成本低，并具有利于集成的独特优势。