公开(公告)号：CN119481957A

公开(公告)日：2025-02-18

申请号：CN202411557555.6

申请日：2024-11-04

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  李鸿渐 ,  马文结 ,  袁泽兴 ,  郭昱成 ,  刘放

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/22 ,  H01S5/02 ,  H01S5/028 ,  H01S5/12

Abstract: 本发明公开了一种AlGaN基边发射激光器腔面的制备方法。本发明采用干法刻蚀制备出脊，然后干法刻蚀制备出端面，脊的两端分别长出端面的两端，脊的两个侧壁与脊覆盖下的端面的两个侧壁处于同一个平面；室温湿法刻蚀暴露出端面和脊的m面；并且室温湿法刻蚀更容易精准控制湿法刻蚀速率，更容易控制宽度大的端面的m面变得光滑，与端面的m面处于同一平面的脊的侧壁也会随着端面的m面光滑而变得光滑，作为出光面，从而在室温下以及不使用高精度的精密光刻机的情况下，无需通过高风险的高温刻蚀过程和复杂的工艺步骤，得到垂直、光滑和无损伤的谐振腔面；本发明工艺设计简单，大大提高了生产效率，同时还降低了安全风险。

公开(公告)号：CN119518421A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202510081285.4

申请日：2025-01-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 王新强 ,  马文结 ,  李鸿渐 ,  袁泽兴 ,  郭昱成 ,  刘放

IPC: H01S5/10 ,  H01S5/22 ,  H01S5/20 ,  H01S5/065

Abstract: 本发明公开了一种单晶圆上波长可调谐的AlGaN基激光二极管及其制备方法。本发明利用室温干法与湿法结合的刻蚀方法制备出多个二维排列的脊图案阵列，每一个脊图案阵列具有多个不同的脊，每一个具有设定的宽度和形状的脊对应一个激射波长，多个不同的脊分别对应多个不同的激射波长；由有效折射率设计脊图案阵列，脊的宽度和形状影响有效折射率，对横向光学模场和载流子有限制作用，从而影响原子级超薄量子阱发光层的带隙，进而调节激射波长，以实现单晶圆衬底上波长可调谐的AlGaN基激光二极管；本发明能够实现较短的激射波长的精细调控，方法简单易控制，显著降低了生产时间和生长成本，在激射波长可调控的激光二极管领域具有广泛应用。