公开(公告)号：CN119964618A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202510047518.9

申请日：2025-01-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖志敏 ,  李栋 ,  蓝莹莹 ,  额日和

IPC: G11C11/56 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明公开了一种基于电控层间反铁磁奈尔矢量翻转的存储器及其实现方法。本发明基于轨道转移力矩和自旋转移力矩协同效应，实现电控层间反铁磁奈尔矢量翻转的存储器，具有显著的优势；本发明的读写路径分离，能够实现更低的功耗和更快的操作速度；反铁磁材料在外场下具有高稳定性、杂散场几乎为零且具备高频磁化翻转能力，因而在超快高密度磁存储器件方面应用潜力巨大；基于轨道转移力矩和自旋转移力矩协同效应的电控层间反铁磁奈尔矢量翻转器件在实现磁化翻转时，不仅提供了一种更为高效且低功耗的解决方案，同时结构简单且易于集成，对于现代存储和逻辑器件应用中具有巨大的潜力和应用前景，展现出在反铁磁自旋电子学领域的巨大潜力。

公开(公告)号：CN119889383A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411986060.5

申请日：2024-12-31

Applicant: 北京大学

Inventor： 廖志敏 ,  李栋 ,  蓝莹莹 ,  额日和

IPC: G11C11/22 ,  G11C11/02 ,  G11C5/02

Abstract: 本发明公开了一种基于轨道转移力矩的多铁存内逻辑器件及其实现方法。本发明利用自由铁磁层的垂直磁化翻转方向与二维贝里曲率铁电层施加的轨道转移力矩方向相关，轨道磁矩极化方向与面内电流方向以及贝里曲率偶极矩方向密切相关，以底栅施加的底栅电压和源漏极施加的面内电流分别作为逻辑输入，隧穿电阻作为逻辑输出，实现存内逻辑；本发明利用铁电极化和电流控制轨道磁化产生的轨道转移力矩方向，从而实现全电控的垂直磁化翻转，并实现了新一代的存内逻辑器件；能够在同一个MRAM单元实现存内逻辑运算，对MRAM的状态控制更加精准，避免出现误判的情况，提高存内计算的可靠性和抗干扰性，有助于进一步提高系统的能效；本发明有望实现大规模商业化应用。