-
公开(公告)号：CN120050946A
公开(公告)日：2025-05-27
申请号：CN202510195288.0
申请日：2025-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变存储器的新型存储阵列结构及其操作方法，属于半导体集成电路技术领域。该新型存储阵列结构包括呈阵列分布的存储单元，每个存储单元由一个晶体管与一个RRAM串联形成，RRAM位于晶体管漏极，同一行上的每两个存储单元共享一个源极，每N列存储单元共用一个P型衬底，多个P型衬底之间通过DTI深槽隔离，所有存储单元共用一个深N阱DNW，深N阱DNW位于P型衬底的下方，每行存储单元的RRAM顶电极通过位线BL连接，每列存储单元的晶体管栅极、源极分别通过字线WL、源线SL连接。本发明仅需施加较小的输入信号，即可实现高电流输出，从而在降低功耗的同时，显著提高存储单元的性能和可靠性。
Search Results
1
records
(took 0.011 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
