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公开(公告)号：CN103172061A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201310130476.2
申请日：2013-04-16
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种在绝缘衬底上生长大面积石墨烯的方法。该方法以绝缘材料作为生长基底，以铜箔为催化剂，以碳源、氢气和保护气体为气源，采用两步法(低压生长和高压生长)的化学气相沉积方法，通过绝缘衬底和铜箔的面对面接触，利用铜箔的近程催化效应在绝缘衬底上长出大面积的石墨烯。本发明方法的整个过程操作简单，成本低廉，样品制备重复性很高，受外界干扰小。所制备的单层石墨烯不需要繁琐的转移工艺就能利用曝光法做成大规模的电路器件。
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