-
公开(公告)号：CN101311110B
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200710107692.X
申请日：2007-05-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明发现在碳纳米管的生长温度下，由于Pb对碳有一定的溶解能力，将铅盐负载在载体上，先氧化成铅的氧化物，再还原为铅纳米颗粒即可催化碳纳米管的生长。由于Pb具有较低的熔点，在碳纳米管的生长温度下很容易挥发，而且铅与碳不能形成稳定的化合物，因此本发明利用铅作为催化剂，采用化学气相沉积法直接制备得到不含金属杂质的碳纳米管。铅催化剂简单易得，成本低，且不需要复杂的处理，所制备的碳纳米管中没有金属催化剂杂质残留，完全不需要冗长繁琐的提纯过程，既节约了成本又避免了提纯对碳纳米管结构的破坏。此外，采用化学气相沉积法不需要昂贵的设备，工艺流程非常简单。
-
公开(公告)号：CN101386408A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810224320.X
申请日：2008-10-17
Applicant: 北京大学
IPC: C01B31/02
Abstract: 本发明公开了一种半导体型单壁碳纳米管及其制备方法，属于碳纳米管技术领域。本发明单壁碳纳米管的管壁上的碳原子部分被掺杂原子取代，所述掺杂原子包括氮原子、硼原子、氧原子或硫原子。其制备方法包括在反应温度下，在惰性环境中，在位于基底上的催化剂的催化下，将反应气体化学气相沉积在基底上制得碳纳米管，所述反应气体包括碳源和掺杂源，所述掺杂源和所述碳源来自于相同或不同的物质，化学气相沉积后制得半导体型单壁碳纳米管。和现有技术相比，本发明具有设备简单，容易操作；原料成本低；产品可重复性强以及能够得到全部为半导体型的单壁碳纳米管的优点。
-
公开(公告)号：CN101311110A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200710107692.X
申请日：2007-05-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明发现在碳纳米管的生长温度下，由于Pb对碳有一定的溶解能力，将铅盐负载在载体上，先氧化成铅的氧化物，再还原为铅纳米颗粒即可催化碳纳米管的生长。由于Pb具有较低的熔点，在碳纳米管的生长温度下很容易挥发，而且铅与碳不能形成稳定的化合物，因此本发明利用铅作为催化剂，采用化学气相沉积法直接制备得到不含金属杂质的碳纳米管。铅催化剂简单易得，成本低，且不需要复杂的处理，所制备的碳纳米管中没有金属催化剂杂质残留，完全不需要冗长繁琐的提纯过程，既节约了成本又避免了提纯对碳纳米管结构的破坏。此外，采用化学气相沉积法不需要昂贵的设备，工艺流程非常简单。
-
-
Search Results
3
records
(took 0.016 seconds)
