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公开(公告)号：CN101916607B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010238639.5
申请日：2010-07-28
Applicant: 北京大学
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明公开了一种采用无窗气体靶的小型中子源，属于核技术及应用领域。本发明采用ECR离子源产生氘离子，直接通过高压引出电极引出，轰击用等离子体密封的无窗气体靶，由于无窗氘气体靶是采用等离子体密封的，因此它允许承受很高的流强的束流，同时由于氘离子穿过等离子体窗时的能损很小，因此中子产额较高。与中子管相比，本发明提出的中子源允许的束流强度高，中子产额高。与加速器中子源相比，加速器中子源体积大，系统复杂，造价高，本发明提出的中子源体积小，系统简单，造价低。与离子源直接进行氘氚反应产生中子的中子源相比，该离子源系统简单，造价低，没有氚的放射性处理以及循环问题。本发明具有非常广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN102183812A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110042217.5
申请日：2011-02-21
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种闪烁-移波光纤及快中子转换屏，属于快中子成像领域。本发明的光纤由内向外依次包括芯层、覆层和反射膜，其中芯层为移波光纤，覆层为掺杂荧光粉的含氢有机物质，芯层的移波光纤能够吸收覆层荧光粉发出的光，并发射次级光子。本发明的快中子转换屏通过将若干段长度相等的光纤排列后的光纤端面构成屏面。与现有技术相比，本发明的转换屏厚度可大幅度增加，快中子探测效率可以比普通ZnS屏提高十倍以上；外层的反射膜既可增强转换屏发光强度，同时又有效提高了转换屏的分辨率，且生成工艺成熟，可以实现商业化量产。
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公开(公告)号：CN105307377A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510579269.4
申请日：2015-09-11
Abstract: 本发明公开了一种中子源，包括：离子源、低能传输段、RFQ加速器、高能传输段、射频功率源、靶站装置以及控制系统；所述离子源，用于产生离子；所述低能传输段，用于对离子的束流进行调节；所述RFQ加速器，用于对离子的束流进行加速，以使每个离子的能量在0.1-10MeV之间；所述高能传输段，用于对加速后的离子的束流进行调节；所述射频功率源，用于为RFQ加速器提供射频信号；所述靶站装置，用于产生中子并将中子引出；所述控制系统，用于对离子源、低能传输段、RFQ加速器、高能传输段和靶站装置进行控制。本发明能够将单独的RFQ加速器应用到中子源中，体积小、占用空间少，中子产额高、便于生产安装。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102419335B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010294769.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/05
Abstract: 本发明公开了一种中子无损检测系统，属于射线无损检测领域。本系统包括一中子源、测试样品放置装置、成像装置、图像处理单元；所述中子源与所述成像装置位于所述测试样品放置装置的同一侧或所述测试样品放置装置相对的两侧；其中所述成像装置包括光阑和热中子位置灵敏探测器，所述光阑位于所述测试样品放置装置与所述热中子位置灵敏探测器之间，所述热中子位置灵敏探测器经数据线与所述图像处理单元连接。与现有技术相比，本发明可以实现厚样品高分辨率高反差灵敏度的无损检测，成像系统位置灵活可调，能实现单次照射大范围检测，并且方便实际应用。
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公开(公告)号：CN102419335A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201010294769.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 北京大学
IPC: G01N23/05
Abstract: 本发明公开了一种中子无损检测系统，属于射线无损检测领域。本系统包括一中子源、测试样品放置装置、成像装置、图像处理单元；所述中子源与所述成像装置位于所述测试样品放置装置的同一侧或所述测试样品放置装置相对的两侧；其中所述成像装置包括光阑和热中子位置灵敏探测器，所述光阑位于所述测试样品放置装置与所述热中子位置灵敏探测器之间，所述热中子位置灵敏探测器经数据线与所述图像处理单元连接。与现有技术相比，本发明可以实现厚样品高分辨率高反差灵敏度的无损检测，成像系统位置灵活可调，能实现单次照射大范围检测，并且方便实际应用。
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公开(公告)号：CN102214490B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201110105735.7
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种中子屏蔽材料及其制作方法，属于中子防护领域。本发明的中子屏蔽材料包括硼砂、水玻璃、氟硅酸钠；其中，硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15。本发明的方法为：1)取设定份数硼砂、氟硅酸钠混合物和水玻璃；其中，所述硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15；2)将水玻璃加水稀释后，加入到硼砂和氟硅酸钠混合物中搅拌均匀；3)将搅拌均匀的混合物加入压制模具中，挤压成型后脱模。本发明所提供的材料具有较好的中子屏蔽能力，并有一定的机械强度，成型速度可控，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN102214490A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110105735.7
申请日：2011-04-26
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种中子屏蔽材料及其制作方法，属于中子防护领域。本发明的中子屏蔽材料包括硼砂、水玻璃、氟硅酸钠；其中，硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15。本发明的方法为：1)取设定份数硼砂、氟硅酸钠混合物和水玻璃；其中，所述硼砂、水玻璃、氟硅酸钠的重量份数的配比为100∶m∶n；m取值为50～70，n取值为5～15；2)将水玻璃加水稀释后，加入到硼砂和氟硅酸钠混合物中搅拌均匀；3)将搅拌均匀的混合物加入压制模具中，挤压成型后脱模。本发明所提供的材料具有较好的中子屏蔽能力，并有一定的机械强度，成型速度可控，工艺简单，成本低廉。
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公开(公告)号：CN101916607A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010238639.5
申请日：2010-07-28
Applicant: 北京大学
IPC: G21G4/02
Abstract: 本发明公开了一种采用无窗气体靶的小型中子源，属于核技术及应用领域。本发明采用ECR离子源产生氘离子，直接通过高压引出电极引出，轰击用等离子体密封的无窗气体靶，由于无窗氘气体靶是采用等离子体密封的，因此它允许承受很高的流强的束流，同时由于氘离子穿过等离子体窗时的能损很小，因此中子产额较高。与中子管相比，本发明提出的中子源允许的束流强度高，中子产额高。与加速器中子源相比，加速器中子源体积大，系统复杂，造价高，本发明提出的中子源体积小，系统简单，造价低。与离子源直接进行氘氚反应产生中子的中子源相比，该离子源系统简单，造价低，没有氚的放射性处理以及循环问题。本发明具有非常广阔的应用前景。
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