公开(公告)号：CN111982832B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202010668199.0

申请日：2020-07-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 邓璟雯 ,  于志浩 ,  郑俊荣

IPC: G01N21/25 ,  G01N21/01 ,  G01B11/00 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明公开了一种二维材料畴区尺寸的测量方法及测量仪器，测量方法包括：S100、构建用于测量二次谐波角度分布的仪器；S200、将置于基底片上的二维材料放置在仪器上，获得不同角度的二次谐波信号；S300、根据不同角度的二次谐波信号计算分析得到二维材料的畴区尺寸。本发明能快速、无损地测量大面积的二维材料薄膜的畴区分布，对二维材料薄膜在器件中的大规模应用可以起到重要帮助。

公开(公告)号：CN111982832A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010668199.0

申请日：2020-07-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 邓璟雯 ,  于志浩 ,  郑俊荣

IPC: G01N21/25 ,  G01N21/01 ,  G01B11/00 ,  G01N21/84

Abstract: 本发明公开了一种二维材料畴区尺寸的测量方法及测量仪器，测量方法包括：S100、构建用于测量二次谐波角度分布的仪器；S200、将置于基底片上的二维材料放置在仪器上，获得不同角度的二次谐波信号；S300、根据不同角度的二次谐波信号计算分析得到二维材料的畴区尺寸。本发明能快速、无损地测量大面积的二维材料薄膜的畴区分布，对二维材料薄膜在器件中的大规模应用可以起到重要帮助。