公开(公告)号：CN116641038A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310315945.1

申请日：2023-03-28

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  赵孟泽 ,  张志斌 ,  何梦林 ,  王恩哥

IPC: C23C16/26 ,  C23F11/18 ,  C30B1/02 ,  C30B29/02 ,  C23C16/01 ,  C23C16/56

Abstract: 本申请提供一种防止金属铜腐蚀的方法、金属铜防腐蚀结构，属于金属防腐技术领域。防止金属铜腐蚀的方法包括在铜基体的表面形成至少2个原子层厚度的石墨烯层。本申请的防止金属铜腐蚀的方法通过在铜基体的表面形成至少2个原子层厚度的石墨烯层，能够减弱腐蚀性物质和铜基体之间的电荷转移，使得铜基体不容易通过表面的石墨烯层发生电化学反应，从而提升铜基体的防腐性能。

公开(公告)号：CN111155160B

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202010111665.5

申请日：2020-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  赵孟泽 ,  张志斌 ,  寇金宗

IPC: C25D11/34 ,  C23C8/12

Abstract: 本发明提供了一种降低金属制品氧化速度的方法，所述方法包括如下步骤：(一)以待处理金属样品为阳极，以含弱酸水溶液为电解液，搭建电解池；(二)通电一段时间后，断电并将样品取出；(三)将样品清洗后擦干即得到所述金属制品。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，就可以降低金属制品的氧化速度，并可以保持金属制品的表面性质。

公开(公告)号：CN111155160A

公开(公告)日：2020-05-15

申请号：CN202010111665.5

申请日：2020-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘开辉 ,  赵孟泽 ,  张志斌 ,  寇金宗

IPC: C25D11/34 ,  C23C8/12

Abstract: 本发明提供了一种降低金属制品氧化速度的方法，所述方法包括如下步骤：(一)以待处理金属样品为阳极，以含弱酸水溶液为电解液，搭建电解池；(二)通电一段时间后，断电并将样品取出；(三)将样品清洗后擦干即得到所述金属制品。本发明提出的方法，通过非常简单的操作，就可以降低金属制品的氧化速度，并可以保持金属制品的表面性质。