公开(公告)号：CN101284664B

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200810106415.1

申请日：2008-05-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 褚海滨 ,  李彦 ,  王金泳

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法。所述碳纳米管的修饰方法包括以下步骤：1)将碳纳米管浸入氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥；2)将碳纳米管浸入氯金酸和水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥。所述碳纳米管电子器件的制造方法包括以下步骤：a)按照上述方法修饰碳纳米管；b)在光学显微镜下将网状掩膜覆盖在碳纳米管上；c)蒸镀金属电极；d)去除所述掩膜，获得碳纳米管电子器件。本发明适用于在光学显微镜下识别、观察、操纵碳纳米管并制造述碳纳米管电子器件。

公开(公告)号：CN101284664A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200810106415.1

申请日：2008-05-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 褚海滨 ,  李彦 ,  王金泳

IPC: C01B31/02 ,  B82B3/00 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管的修饰方法和碳纳米管电子器件的制造方法。所述碳纳米管的修饰方法包括以下步骤：1)将碳纳米管浸入氯金酸的水和还原性有机溶剂的混合溶剂的溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥；2)将碳纳米管浸入氯金酸和水溶性还原剂的含水溶剂的混合溶液中进行反应，反应后从溶液中取出，洗涤，干燥。所述碳纳米管电子器件的制造方法包括以下步骤：a)按照上述方法修饰碳纳米管；b)在光学显微镜下将网状掩膜覆盖在碳纳米管上；c)蒸镀金属电极；d)去除所述掩膜，获得碳纳米管电子器件。本发明适用于在光学显微镜下识别、观察、操纵碳纳米管并制造所述碳纳米管电子器件。