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公开(公告)号：CN114976804A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210581670.1
申请日：2022-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01R43/02 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开一种采用Mg(BH4)2粉末制备MgB2线材用超导接头的方法，属于超导线材制备技术领域。本发明将Mg(BH4)2粉末在流通的氩气保护气体下进行释氢预烧结，释氢后获得纳米粉末作为焊接剂，在低温下与已成相的线材组成MgB2‑MgB2连接，由于该纳米粉末具有较低的成相热处理温度，因此本发明采用较低的成相热处理温度使接头制备工艺简便，降低制备成本，同时弥补了大型超导磁体绕制过程中线材长度不足的缺点；同时，该纳米粉末还可以与未成相的in‑situ线材中的Mg和B粉相互反应，形成致密的MgB2‑MgB2连接，可用于制备手指型小型MRI磁体用超导接头，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN113571995A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110779763.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01R43/20
Abstract: 本发明属于超导线材制备技术领域，具体涉及一种MgB2超导接头的制备方法，是通过未进行成相热处理的in‑situ单芯棒，将两根的in‑situ线材连接起来，单芯棒中致密化程度高的前驱体粉末通过成相热处理可获得载流能力高的MgB2超导材料，并采用纵向压力对该连接结构进行致密化加工，防止线材中的芯丝发生畸变和破损，从而成功获得连接性能优异的MgB2超导接头，使MgB2线材绕制的MRI实现长期闭环持续电流运行模式，降低MRI的使用成本，促进医疗MRI在贫困地区的普及范围。
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公开(公告)号：CN114976804B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202210581670.1
申请日：2022-05-26
Applicant: 北京大学
IPC: H01R43/02 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开一种采用Mg(BH4)2粉末制备MgB2线材用超导接头的方法，属于超导线材制备技术领域。本发明将Mg(BH4)2粉末在流通的氩气保护气体下进行释氢预烧结，释氢后获得纳米粉末作为焊接剂，在低温下与已成相的线材组成MgB2‑MgB2连接，由于该纳米粉末具有较低的成相热处理温度，因此本发明采用较低的成相热处理温度使接头制备工艺简便，降低制备成本，同时弥补了大型超导磁体绕制过程中线材长度不足的缺点；同时，该纳米粉末还可以与未成相的in‑situ线材中的Mg和B粉相互反应，形成致密的MgB2‑MgB2连接，可用于制备手指型小型MRI磁体用超导接头，具有重要的实用价值。
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公开(公告)号：CN113571995B
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202110779763.0
申请日：2021-07-09
Applicant: 北京大学
IPC: H01R43/20
Abstract: 本发明属于超导线材制备技术领域，具体涉及一种MgB2超导接头的制备方法，是通过未进行成相热处理的in‑situ单芯棒，将两根的in‑situ线材连接起来，单芯棒中致密化程度高的前驱体粉末通过成相热处理可获得载流能力高的MgB2超导材料，并采用纵向压力对该连接结构进行致密化加工，防止线材中的芯丝发生畸变和破损，从而成功获得连接性能优异的MgB2超导接头，使MgB2线材绕制的MRI实现长期闭环持续电流运行模式，降低MRI的使用成本，促进医疗MRI在贫困地区的普及范围。
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公开(公告)号：CN208266264U
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201820656285.8
申请日：2018-05-03
Applicant: 北京大学
IPC: C23C16/38 , C23C16/455 , C23C14/06 , C23C14/22
Abstract: 本实用新型公开了一种混合物理化学气相沉积装置，用于在曲面衬底上生长MgB2厚膜。其包括反应舱，在反应舱外围设有感应加热线圈，内部设有样品台和样品衬底，其特征在于，所述样品台位于反应舱底部，由圆环部分和位于圆环中心的用于放置固体样品源的孤岛组成，且圆环部分的外缘凸起；所述样品衬底为圆筒形，垂直放置在样品台的圆环部分上；反应舱的顶部设有用于通入反应气体进气口。该装置改变了反应舱内的气流方向，使得在曲面衬底上生长MgB2厚膜的操作更加简单有效。
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