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公开(公告)号：CN102680884B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201210156922.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种用于测量大规模阵列器件特性的电路，涉及微电子半导体技术领域，所述电路包括：待测器件阵列、用于选择所述待测器件阵列中每个待测单元的选中逻辑模块、电平转换模块以及电学参数测量模块，所述电平转换模块用于将外部电压源加在待测器件阵列中所有待测单元上，从而控制所述待测单元的栅极电压；所述电学参数测量模块，用于测量所述待测器件阵列中所有待测单元分别在不同漏极电压和栅极电压下的直流电学特性。本发明通过设置电学参数测量模块，实现了在不大幅增加电路的复杂度的前提下，一次选中一个器件进行直流电学特性的测量，另外，在不改变电路结构的前提下，同时适用于NMOS和PMOS阵列的测量。
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公开(公告)号：CN103185842A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110452057.1
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量大规模阵列器件统计涨落的电路，涉及微电子半导体技术领域，所述电路包括：待测器件阵列、用于选择所述待测器件阵列中每个待测单元的选中逻辑模块、以及电学参数测量模块，所述电学参数测量模块，用于测量所述待测器件阵列中所有待测单元分别在不同漏极电压和栅极电压下的直流电学特性。本发明通过设置电学参数测量模块，实现了在不大幅增加电路的复杂度的前提下，一次选中一个器件进行测量，以提高统计涨落的精确度。
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公开(公告)号：CN103185842B
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201110452057.1
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种用于测量大规模阵列器件统计涨落的电路，涉及微电子半导体技术领域，所述电路包括：待测器件阵列、用于选择所述待测器件阵列中每个待测单元的选中逻辑模块、以及电学参数测量模块，所述电学参数测量模块，用于测量所述待测器件阵列中所有待测单元分别在不同漏极电压和栅极电压下的直流电学特性。本发明通过设置电学参数测量模块，实现了在不大幅增加电路的复杂度的前提下，一次选中一个器件进行测量，以提高统计涨落的精确度。
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公开(公告)号：CN102680884A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210156922.2
申请日：2012-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种用于测量大规模阵列器件特性的电路，涉及微电子半导体技术领域，所述电路包括：待测器件阵列、用于选择所述待测器件阵列中每个待测单元的选中逻辑模块、电平转换模块以及电学参数测量模块，所述电平转换模块用于将外部电压源加在待测器件阵列中所有待测单元上，从而控制所述待测单元的栅极电压；所述电学参数测量模块，用于测量所述待测器件阵列中所有待测单元分别在不同漏极电压和栅极电压下的直流电学特性。本发明通过设置电学参数测量模块，实现了在不大幅增加电路的复杂度的前提下，一次选中一个器件进行直流电学特性的测量，另外，在不改变电路结构的前提下，同时适用于NMOS和PMOS阵列的测量。
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