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公开(公告)号：CN1309040C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410049792.8
申请日：2004-06-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C2203/0735
Abstract: 本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法，其包括以下步骤：1.在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作；2.淀积钝化层保护所述集成电路部分；3.采用深槽刻蚀，在所述隔离槽内填充低温电绝缘介质；4.在背面做掩膜，腐蚀硅，直至暴露出所述填充介质；5.在正面开CMOS电路与MEMS结构连接通孔，磷离子注入；6.溅射钛/铝，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线；7.合金处理，用铝作掩膜，释放MEMS硅结构。本发明方法不仅获得了较大的质量块，而且制作出的结构电容，较利用现有工艺制作出的电容大的多，同时实现了Post-CMOS的集成，降低了加工成本，大大提高MEMS传感器的精度和稳定性，本发明具有前沿性和重要实用价值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100397616C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200610114486.7
申请日：2006-11-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，其是在原有工艺步骤(6)之后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面形成金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；(9)在硅片背面形成金属掩膜层；(10)光刻残余硅区域，采用光刻胶形成光刻胶掩膜层；(11)用光刻胶掩膜层掩膜进行DRIE各向异性刻蚀直至露出硅片背面的铝衬底，再进行1～2分钟的各向同性刻蚀去除隔离槽残余硅；(12)干法去除光刻胶掩膜层，用铝掩膜图形和金属掩膜层作掩膜，DRIE刻蚀释放MEMS硅结构；(13)用腐蚀液腐蚀硅片背面的金属层，用腐蚀液腐蚀硅片正面的金属掩膜层；(14)裂片，封装和测试。本发明方法完善了现有技术，大大提高了单片集成MEMS传感器的精度和稳定性。
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公开(公告)号：CN1949477A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610114486.7
申请日：2006-11-10
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种可去除残余硅的体硅MEMS与CMOS电路集成的方法，其是在原有工艺步骤(6)之后，采取以下工艺步骤：(7)在硅片正面形成金属掩模层；(8)光刻定义出MEMS结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；(9)在硅片背面形成金属掩膜层；(10)光刻残余硅区域，采用光刻胶形成光刻胶掩膜层；(11)用光刻胶掩膜层掩膜进行DRIE各向异性刻蚀直至露出硅片背面的铝衬底，再进行1～2分钟的各向同性刻蚀去除隔离槽残余硅；(12)干法去除光刻胶掩膜层，用铝掩膜图形和金属掩膜层作掩膜，DRIE刻蚀释放MEMS硅结构；(13)用腐蚀液腐蚀硅片背面的金属层，用腐蚀液腐蚀硅片正面的金属掩膜层；(14)裂片，封装和测试。本发明方法完善了现有技术，大大提高了单片集成MEMS传感器的精度和稳定性。
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公开(公告)号：CN1604302A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：CN200410090620.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种体硅集成MEMS技术中超深隔离槽开口形状的控制方法及产品，其技术方案为：首先在硅片表面淀积多晶硅作为牺牲层，再进行深槽刻蚀，刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉。(1)在硅片表面形成SiO2牺牲层；(2)光刻定义槽图形，BOE腐蚀槽形状内的SiO2牺牲层，少量侧向钻蚀；(3)生长Poly－silicon牺牲层；(4)光刻定义槽形状，DRIE刻蚀Poly－silicon牺牲层和Si衬底，形成深槽；(5)去除Poly－silicon和SiO2牺牲层；(6)用介质对深槽进行填充。本发明方法有效地改善了超深硅槽的开口形状，用本发明方法制作的芯片产品，其隔离槽内可以充满电介质，避免了空洞的产生，增大了隔离槽的机械强度和可靠性。本发明不仅可以用于体硅集成技术中的电学隔离，而且还可以用于体硅微机械技术中的热学等其它隔离。
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公开(公告)号：CN1595633A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410049792.8
申请日：2004-06-29
Applicant: 北京大学
CPC classification number: B81C1/00246 , B81C2203/0735
Abstract: 本发明公开了一种将CMOS电路与体硅MEMS单片集成的方法，其包括以下步骤：1.在硅片上采用标准CMOS工艺完成集成电路部分的制作；2.淀积钝化层保护所述集成电路部分；3.采用深槽刻蚀，在所述隔离槽内填充低温电绝缘介质；4.在背面做掩膜，腐蚀硅，直至暴露出所述填充介质；5.在正面开CMOS电路与MEMS结构连接通孔，磷离子注入；6.溅射钛/铝，光刻腐蚀得到铝掩膜图形和MEMS结构与电路之间的连线；7.合金处理，用铝作掩膜，释放MEMS硅结构。本发明方法不仅获得了较大的质量块，而且制作出的结构电容，较利用现有工艺制作出的电容大的多，同时实现了Post－CMOS的集成，降低了加工成本，大大提高MEMS传感器的精度和稳定性，本发明具有前沿性和重要实用价值。
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公开(公告)号：CN1303666C
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200410090620.5
申请日：2004-11-09
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种体硅集成MEMS技术中超深隔离槽开口形状的控制方法其技术方案为：首先在硅片表面淀积多晶硅作为牺牲层，再进行深槽刻蚀，刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉。(1)在硅片表面形成SiO2牺牲层；(2)光刻定义槽图形，BOE腐蚀槽形状内的SiO2牺牲层，少量侧向钻蚀；(3)生长多晶硅牺牲层；(4)光刻定义槽形状，深反应离子刻蚀刻蚀多晶硅牺牲层和Si衬底，形成深槽；(5)去除多晶硅和SiO2牺牲层；(6)用介质对深槽进行填充。本发明方法有效地改善了超深硅槽的开口形状，用本发明方法制作的芯片产品，其隔离槽内可以充满电介质，避免了空洞的产生，增大了隔离槽的机械强度和可靠性。本发明不仅可以用于体硅集成技术中的电学隔离，而且还可以用于体硅微机械技术中的热学等其它隔离。
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