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公开(公告)号：CN117199094A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311191148.3
申请日：2023-09-15
Applicant: 北京大学
IPC: H01L27/146
Abstract: 本发明公开一种UTBB图像传感器，涉及半导体器件及集成电路、图像传感领域；像素间浅槽隔离区包括从埋氧层的顶面的一个端部，向下延伸至衬底的内部，形成的第一隔离区；以及从埋氧层的顶面的另一个端部向下延伸至衬底的内部形成的第二隔离区；电极浅槽隔离区与第二隔离区间隔设置且电极浅槽隔离区从埋氧层的顶面向下延伸至阱的内部，形成的第三隔离区；阱电极在间隔区域；间隔区域为电极浅槽隔离区与第二隔离区之间的区域，且间隔区域内不含有埋氧层；晶体管和源扩展区相连接并设置在埋氧层的顶面；晶体管的一端与电极浅槽隔离区连接；源扩展区的一端与第一隔离区连接；本发明通过改善感光灵敏度和满阱容量，提高图像传感器件的成像效果。
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