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公开(公告)号：CN115896949A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202110939966.1
申请日：2021-08-16
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明涉及一种新型反铁磁性的硫卤化物晶体材料及其制备方法和应用，所得晶体材料的反铁磁相转变温度可在100K以上。所述晶体材料化学通式为Ba3XFeQ4，其中X选自卤族元素F、Cl、Br或I中的一种或几种的组合，Q选自硫族元素S、Se或Te中的一种或几种的组合，属于正交晶系。这种新的晶体材料有高的反铁磁相转变温度，合成方法简单，可以在巨磁电阻器件等反铁磁器件领域应用。
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